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业界第一个商用TMBS整流器与传统整流器电子应用的对比(08-100)

—— 业界第一个商用TMBS整流器与传统整流器电子应用的对比
作者:Max Chen、Henry Kuo、L. C. Kao 、PJ Kung Vishay台湾有限公司通用半导体功率二极管部门研发部时间:2009-03-05来源:电子产品世界收藏

  器件的开关性能更好,如图4所示。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/92119.htm



  图4 和平面肖特基的Trr曲线

  200 V 的特征

  与数据手册额定值为90 A的行业标准平面肖特基势垒,以及来自领先功率半导体制造商的三种类型的30 A额定值的超快恢复二极管(UFRD)相比,200 V TMBS器件显示了在结温为+125℃,电流密度为180/cm2的条件下,至少可以改善13 %(图5)。值得注意的是,由于UFRD在200 V市场上占有统治地位,与相同片芯尺寸的UFRD相比,在电流密度为180 A/cm2(在TJ = +125℃条件下)时,200 V TMBS显示了16 %的VF 改善,而其开关特性都是相同的(表1)。在IF = 15 A,di/dt = 200 A/uS,VR = 200 V及TJ = +125℃条件下,观察到了一个商用UFRD(2型)优于200 V TMBS整流器的反向恢复性能,但是在180 A/cm2相同的电流密度下,VF 要比200 V TMBS器件高19 %。

 

  图5 基准条件下(TJ = +125℃)200 V整流器的JF VF曲线



关键词: TMBS 整流器

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