新型电声产品接口技术(08-100)

　　如果电容式麦克风所产生的信号驱动能力不够，那么在对信号做进一步处理之前需要一只缓冲器或放大器。按照传统方法，一直使用一只简单的结型场效应管(JFET)输入放大器实现这种传声器的前置放大。随着ECM微机械工艺的改进，麦克风体积越来越小，电容也不断减小。由于标准的JFET放大器具有相当大的输入电容，对来自传声单元的信号造成显著的衰耗，因此JFET放大器不再适合传声器的要求。

　　如今因CMOS制造工艺的改进推动了放大器电路的改进。采用CMOS模拟和数字电路取代JFET放大器有很多好处。与传统的JFET放大器相比，采用现代亚微米CMOS工艺实现的前置放大器有多种优点：降低谐波失真，更容易增益设置，多功能模式，包括低功耗休眠模式，模数转换功能，能使麦克风直接输出数字信号，极大地提高了声音的质量，

　　提高了抗干扰能力。

　　MEMS SMD-硅晶(SiSonic)贴片式麦克风

　　SiSonic SMD硅晶贴片式麦克风应用了MEMS技术。一直以来，ECM的难题在于驻极体的能效在高温中会降低，从而导致灵敏度的劣化。而硅晶麦克风中内置的CMOS电荷泵和MEMS则可完美的解决此难题，并使得产品能多次通过260℃无铅自动回焊炉。该种麦克风，使用悬浮振膜构造，即便焊接在基板上也能确保达到优于ECM的耐振动特性、12,000G跌落撞击，甚至能通过相当于半导体级别的信耐度测试。

　　全部硅晶麦克风，高度为1.25mm，音孔位置在上面或是基板面(零高度)，还有强化对抗RF干扰的型号。这方面的新产品有，零高度Mini型及数字麦克风。

　　标准SiSonic-SMD硅晶麦克风(如楼氏公司产的SP0204、SPM0204型)原理示意图示于图2。

　　图2 硅晶麦克风原理示意图

　　图3为内置放大器的SiSonic-SMD硅晶麦克风

　　图3 内置放大器SiSonic-SMD硅晶麦克风原理示意图