BiFET功放的集成功率管理为3G手机省电多达25%(08-100)

　　两路功放的多级优化

　　ANADIGICS 的 InGaP-Plus技术， 通过允许设计师使用多条增益链路来设计功放，解决了功放的优化问题。这使得功放在不同功率水平可以进行独立的优化。

　　通常意义上所说的BiFET 过程， InGaP-Plus集成了 pHEMT(pseudomorphic High Electron Mobility FET)和 HBT(Heterojunction Bipolar Transistor)在同一的晶片上(图2)。

　　图2 BiFET 工艺

　　同时高性能的射频开关(pHEMT)共存在相同的晶体上，BiFET工艺可以用于设计多种增益链路的功放，并可以为每一增益链路进行独立的线性度和效率优化。InGaP-Plus 使得设计师能够获取功放的最优性能。

　　这项技术最初称为HELP(High Efficiency at Low Power)，设计成一个双状态(高功率与低功率)功放。不像单链路放大器，它有两个增益状态， InGaP-Plus功放可在内部对高功率和低功率进行优化。单一链路功放是不能做到的。

　　通过内部优化的HELP功放可延长手机通话时间超过25%。当然，像单一链路功放一样，可搭配一个外部 DC/DC转换器节省更多电流。但是额外电流的节省是不值得的，相比增加的费用和电路板面积。

　　在最近的进展，ANADIGICS使用了InGaP- Plus的BiFET制成设计 HELP3功放，特别推出三增益状态，允许我们分别优化三种不同的功率等级。例如，我们可优化高功率增益(通常大约28dbm)，16dBm的中度功率增益，以及在7dBm的低功率增益(图3)。

　　图3 典型的使用BiFET制成的 HELP功放的静态电流和效率曲线

　　此制成在低功率等级达到业界低于 7mA 的静态电流，那是一个非凡的进展相比单一链路功放中典型的 50mA的静态电流。

　　表1列出通过使用特殊制成的最新 ANADIGICS WCDMA 功放模块的静态电流和效率对比数据。

　　表 1: ANADIGICS HELP3 WCDMA功放模块

　　物理，功能，电性能改进

　　除了在没有使用外部 DC/DC 转换器可以减少电流消耗， BiFET 技术使制造商集成其它功能成为可能，例如在功放芯片内集成LDO，手机制造商能够更多的减少电路板空间及进一步降低成本。

　　此技术还有另一优势：它使得制造商可将功放模块设计于更小面积上。如表1显示， ANADIGICS 现在提供业界第一个3x3mm 单频和 3x5mm 双频WCDMA HELP3功率放大器

　　HELP3技术与朝向低电压逻辑的移动手机制造商并驾齐驱。新型号的HELP功放以 1.8V 逻辑电压设计。这些功放将提供更长的通话时间，并进一步减少静态电流少于4mA。

　　此外， ANADIGICS 使用BiFET制成开发了我们称为 ZeroIC 的功放，也称为旁路功放，此类放大器可以在低于某个功率水平下完全被关闭，因此电流消耗为0，通过开关网络提供一条旁路路径到功放模块的输出端。

　　结论

　　ANADIGICS创新的InGap-Plus制成是HELP功放技术的基础。这个制成允许在同一晶体上分别优化高性能的射频开关和功率放大器。ANADIGICS已经使用这项技术提供业界第一个3x3 mm 单频和3x5 mm 双频 WCDMA HELP3功率放大器。