输出峰值功率1kW的晶体管射频放大器(08-100)
—— 输出峰值功率1kW的晶体管射频放大器
由此可见，传统的双极功率晶体管，经过革新挖潜，能够以新的面目出现，用来满足新应用的需求。由于Si双极功率晶体管匹配性较好，并联应用可获得更大峰值输出，TAN500双管并联即可产生1000W的峰值功率。除Si双极之外，GaAs双极射频功率晶体管同样取得不少改进，限于篇幅，在此从略。
本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/91679.htmMOS场效应射频功率晶体管
自70年代开始，Si的CMOS集成电路一直是CPU、DSP和存储器的核心工艺，按摩尔定律不断发展，依靠缩小几何尺寸来提高性能价格比。相对来说，Si CMOS工艺应用到高频功率器件的困难较多，SiMOS场效应晶体管需要大几何尺寸，比增加功率和降低热耗，从而使频率特性不容易提高。早期的SiMOS场效应功率晶体管沿着横向扩大几何尺寸，称为横向扩散MOS晶体管(LDMOS)，90年代出现沿着纵向布局的纵向扩散MOS晶体管(VDMOS)，近年两种不同设计的MOS高频功率晶体管都取得硕果。
2008年飞思卡尔(Freescale)公司提供的MRF6系列针对L波段的雷达应用，峰值功率330W，它的结构如图4a所示。例如MRF6V14300H的功率增益Gps、漏极效率nD和回波损耗IRL的频率特性如图3所示，工作特性如表2所示。
表2 MRF6V14300H SiMOS场效应晶体管的工作特性
图3 MRF6V14300H Si场效应管的增益、效率和回波损耗特性
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