输出峰值功率1kW的晶体管射频放大器(08-100)
—— 输出峰值功率1kW的晶体管射频放大器
TAN500的典型输入/输出特性曲线和集电极效率曲线如图1和图2所示。从图中可见，在90MHz、1090MHz和1215MHz频率下，输入功率/输出功率有不错的线性关系，而且在额定峰值输出功率500W下，集电极效率超过40%。对于Si双极晶体管射频末极功率放大器来说，TAN500的整体指标处在领先水平。目前TAN系列已有TAN300、TAN350和TA500等多种型号，分别是输出功率300W、350W和500W的同族产品，而且1000W以上的型号将很快推出。实际上，Microsem公司在2005年生产的MDS系列Si双极射频功率晶体管中，MDS1100是用于航空电子设备末级功放的器件。它在+50V电源和1030MHz下可提供超过1000W的峰值功率输出，在20℃环境温度下最大功耗是8750W，最高工作温度可达+200℃，最低集电极效率是45%。TAN系列晶体管的设计理念与MDS系列的完全相同，但是对设计参数进一步优化，达到特性参数最佳的目的。
本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/91679.htm
图1 TAN500 Si双极晶体管的输入/输出特性
图2 TAN500 Si双极晶体管的效率特性
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