带有旁通性能1SEG用宽带低噪声放大器GaAs MMIC NJG1129MD7现开始发放样品

　　新日本无线已开发完成了最适用于1SEG信号用调谐器模块的宽带低噪声放大器（下称LNA）GaAs MMIC NJG1129MD7，现开始样品供货。 

　　近年来，手机和车载导航等能接收1SEG信号产品在不断地增加，因终端接收信号灵敏度不足，故具有高增益／高线性／低噪声的高性能LNA是市场需要。新日本无线为满足这种市场需求，开发了NJG1134HA8（08年3月27日发表）。NJG1129MD7就是为了满足市场所求的更高灵敏度，所开发了1SEG用宽带LNA GaAs MMIC。 

　　该产品是可支持470～770MHz宽频带的LNA，采用W-CDMA用LNA的设计技术，增益可达到15dB typ.（@ f=470～770MHz）（而NJG1134HA8:10dB typ.(@ f=470～770MHz)）
并且该产品用GaAs HEMT程序，实现了高线性(P-1dB(IN)=-6.0dBm,IP3=+1.0dBmtyp.)和低噪声(NF=1.4dB typ.)。 

　　另外，为防止离广播电台较近地区等强磁场输入时所导致的放大器失真，设有不经过内置LNA的旁通模式（Low gain模式），实现了低失真(P-1dB(IN)=+12.0dBm IP3=+20.0dBm typ.)
配备高增益和旁通模式，可以稳定地接受信号的NJG1129MD7是最适用于手机和车载等配有1SEG调谐器模块机器。

NJG1129MD7具以下特性，最适于内置1SEG接收器的小型便携式终端。

1. 通过旁通性能，在强磁场下也能接受稳定信号。
2. 具有低噪声（NF=1.4dBtyp.）特性，有助于提高接受信号的灵敏度。
3. 用GaAs HEMT程序，达到了高线性（P-1dB(IN)=-6.0dBm,IP3=+1.0dBmtyp.）
4. 内置ESD保护元件，对ESD具有高耐压特性。

产品开发一览

产品性能及特点概要
￭ 宽带:　　　　　　470～770MHz
￭ 工作电压:　　　　2.8V typ.
￭ 小型封装:　　　　EQFN14-D7（Package size:1.6mm×1.6mm×0.397mm typ.）
￭ 内置ESD保护元件
【High gain模式】
￭ 低消耗电流:　　　　　5.0mA typ.
￭ 低切换电流:　　　　　5μA typ.
￭ 增益:　　　　　　　　15dB typ.@ f=470～770MHz
￭ 低噪声:　　　　　　　1.4dB typ.@ f=470～770MHz
￭ 高输入P-1dB(IN):　　-6.0dBm typ.@ f=470～770MHz
￭ 高输入IP3:　　　　　+1.0 dBm typ.@ f1=470～770MHz,f2=fRF+100kHz,Pin=-25dBm
【Low gain模式】
￭ 低消耗电流:           16μA typ.
￭ 增益:　　　　　　　　 -4dB typ.@ f=470～770MHz
￭ 高输入P-1dB(IN):　　+12.0 dBm typ.@ f=470～770MHz
￭ 高输入IP3:　　　　　+20.0 dBm typ.@ f1=470～770MHz,f2=fRF+100kHz,Pin=-12dBm

　　生产计划/样品价格