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利用LM3478设计50W DC-DC升降压变换器(07-100)

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作者:哈尔滨富创硕电子科技有限公司 廉士良时间:2008-04-18来源:电子产品世界收藏


本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/81745.htm

  该电路是基于SEPIC拓扑、应用芯片按照客户的技术要求设计的。在该电路中,考虑到适配器的体积及储能电感磁性材料的体积,选定工作频率Fs=250KHz。

  计算储能电感L3、L4的电感量及磁芯选择

  首先由公式:D=Vout/(Vout+Vin)计算占空比。由于最严酷条件下的电感纹波电流是在最大输入电压下,所以D=12/(12+60)≈0.167。

  计算储能电感l3、L4:正常情况下,L4的大小在确保最小负载电流下使电感电流连续,且输出纹波满足指标要求。为此,我们假定在20%最小负载电流下,允许有40%的峰-峰值纹波电流流过L4。

  C1、C2为输入滤波,Q1、DZ1、DZ2、D1-1构成启动电源,L3、L4为储能电感,Q2为功率MOSFET,IC为驱动芯片,R5为频率调整电阻,C3、C4、R2为反馈补偿,R3、R4为反馈分压电阻,R7为过电流取样电阻,C8、C9为SEPIC电容,R8、R9、C6、C7为吸收网络,D2为输出整流二极管,C10、C11、C12为输出滤波电容。当然要想符合EMC要求,输入端还应该有共模电感,差模电感,及X、Y等安规电容。

  L=V×dt/di;

  其中dt=1/Fs×D=1/(250×103)×0.167≈0.668,V为Vin在MOSFET开通时的值。因此,有如下计算:

  L4=60×(0.668×10-6/0.4)=100.2μH。取100μH的标称值。由该SEPIC原理及设计经验可知,作为俩个分离的储能电感,L3的取值也为:100μH。

  由于该电感为储能电感,因此,对磁性材料的选取要特别注意。此处选择的材料为:Magnetic公司的Kool Mu,相同性能的材料,其他公司又称铁硅铝。参数如下:

  ·料号:77381-A7,黑色

  ·尺寸:17.27×9.65×6.35(mm),为环型磁芯

  ·电感因数AL:43(nH/N2),N为圈数

  由公式:L=AL×N2,可以计算出电感圈数为:

  48圈,且用AWG18号线绕制。L3、L4相同参数。

  ·Magnetic公司的Kool Mu材料,损耗少,相对成本低,也可以选同规格其他厂商铁硅铝材料。如果想进一步降低成本也可以选用国产的铁硅铝材料。

  上述L3、L4为两个分离电感设计,也可以共用一个储能磁环,只是此时由于耦合电感的存在,计算的电感值为上述值的一半,为50μH。但成本低些。

  PCB注意事项

  由于为高频DC-DC变换,因此,PCB布线很重要。区分功率地与信号地的汇流点,驱动IC与MOSFET的关系,输入滤波与输出滤波的位置等。同时注意分离元件及贴片元件的位置关系。还要考虑散热器的形状及散热面积。

  关键元器件的选择及说明

  功率MOSFET的选择:N-FET,极低导通电阻,低门极驱动电压:5V—7V,符合-IC要求,TO-220AB封装,100V/85A,结温175℃。型号为VISHAY:SUP85N10-10。

  肖特基整流二极管的选择:型号为MBR20100CT,封装为TO-220AB,100V/20A,正向压降低。

  输入、输出滤波电解电容可由计算公式或经验选取。C8、C9可由计算公式或实验选择。取样电阻的参数可由计算及实验来确定。

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