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采用RF芯片组的下一代RFID阅读器(06-100)

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作者:时间:2008-04-07来源:电子产品世界收藏

  

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/81270.htm

  的用途是为阅读器的发送和接收通路提供频率合成LO(本振),其频率见表1。频率合成器为了能为TX(发送)和RX(接收)信号通路提供合适的LO输入,必须放大合成器之后的信号。

  对于,关键是要适应性强,这样单块PC板可以用于处理所有不同的频段。用一个集成合成器/VCO集成电路,采用不同的电感值可以对准VCO频段的中心。日本频段比美国和欧洲频段要求更快的开关速度,这仍然可以用5KHz BW(带宽)环形滤波器实现,但需用不同的元件值。在功率分配器中需要有20dB量级的隔离。基于成本考虑,一般采用单片窄带功率分配器,但对于850~960MHz,它不是最佳的。为了使每个隔离最佳,采用调节电感器和/或电容器重新对准功率分配器隔离。

  为了减小尺寸和减少整个元件数,必须组合各种各样的元件来构成一个源模块。TCXO(温控晶振)制造在屏蔽封装中,以使频率稳定性最高和噪声最小。合成器所用的大多数元件是低成本的SMTI(表面贴装)封装。合成器/源模块另一个要求是需要屏蔽,以使环路稳定和相位噪声最小。

  集成这些不同元件的一种可能方法是用LGA(焊区栅阵列)封装。很多合成器模块是分层和边缘碟形,这便于信号从板顶部到印刷电路板。一般采用LGA封装。为了保证较强的机械连接和低感性地连接,在封装的中心应该有几个大的地贴片。较大的贴片(如20×60mm2)能提供比边缘蝶形更强的连接。

  合成器的设计和封装应该使RF屏蔽最大。

  发送模块拓扑

  如图1所示,典型的发送模块应包括DBM (双平衡混频器)、LO放大器、前置放大器、功率放大器和ITN(阻抗变换网络)。采用混合技术使每个元件最佳化,混频器和级间匹配网络的PA和HMIC用GaAs HBT。这样高集成度可使小信号增益超过50dB,这需要精心布置摸块。为了保持稳定度,必须把前置放大器放置在尽可能远离功率放大器的地。图2是此方案的电路拓扑。外表上,只需要少量旁路电容器和一般的高频技术来实现模块的固有性能。单电源工作具有方便性和成本优势。

  6×6mm2 PQFN多芯片模块是构建发送模块的好的封装选择。这种方法有几个优点。这是封装多芯片的一个有效方法。由于PQFN封装的底部可直接焊接到地,所以它具有到地的低电感和来自放大器管芯片底部的低热阻通路。



关键词: RFID 源模块

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