低频磁发射器设计(06-100)

　　为了提高波特率，必须加速导通和关闭响应，图4是实现上述目的的改进电路，在此电路中采用全桥结构，并加入嵌位电路。全桥电路能加速上升时间，当幅度上升至满幅时，电路仍处于全桥结构。例如采用TC442 FET驱动电路，上升时间仅为40ms，比半桥式120ms快了很多。嵌位电路使用一个双向可控硅器件，在驱动电路关闭时让谐振回路放电，双向可控硅通常在零电压处点火，可减少EMI辐射。嵌位电路还有一个好处，就是能取消AGC电路，从而简化接收器的设计。


　　
　　电路实例

　　实际驱动电路(图4)由TC4422(U2)和TC4421(U3)组成，U3是倒相放大器，U2则是同相放大器。U3是主要半桥驱动器件，U2仅在导通时使用。在导通的前5个周期，U2和U3图腾结构用作全桥驱动电路，此时U2和U3通过RB3由PWM电路输出驱动，RB4则用作输入，因而对U2输入信号没有任何影响。在5个初始周期后，驱动器转换 为半桥结构，这是通过将RB4从输入改变为低电平(零电平)输出实现的。这对U3工作没有影响，而将U2接地。当不需要快速上升时间时，也可以省掉U2，以增加电路的效率。

　　驱动信号直接用PIC微控制器的PWM单元产生，本设计使用PIC 16F628，时钟频率20MHz，为了得到125KHz工作频率，只需将其定时器2预定标为1，设定PR2寄存器为39，就可得到8ms周期信号。要想获得50%空度比的输出，将CCPR1L设置为14，CCP1CON从<5：4>设置为<0:0>。
串行通信由PIC 16F628 的UART实现，电平变换则用MAX232完成。CTS和RTS数据控制分别通过RB6和RB5输入。

　　结语

　　LFMC技术多用于射频标识和数据采集传输，而最近有报道，日本一家公司为了提高集成电路内部数据传输速度，在芯片内层与层之间采用无线传输技术，使用的正是磁耦合技术，这为LFMC应用揭开了新的篇章。(东华)