联合式电路保护有助于防止损坏DVB网络设备(06-100)
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在电压超过器件“转折”所需的击穿电压时，将导致一个低阻抗路径的形成，从而有效地对过电压状况进行短路。器件将在流经它的电流降低到其保持额定值以下前保持在这种低阻抗状态下。在过电压事件发生后，器件将恢复成高阻值状态，实现正常的系统运行。
TSPD的设计和运行
TSPD属于双向芯片器件。这种器件的4个对称分层如图7所示。在此“芯片”的横截面图上，其布置方式可以简化成对如图8和图9所 示的2个晶体管和一个P型电阻器的描述。在正常运行中，电压施加到两个接线端的两端。
随着从正极至负极之间的电压增加，PNP晶体管中发生的雪崩击穿让电流能够通过。不断增加的雪崩电流从正极通过PNP晶体管流动，随后通过P电阻器流到负极。P电阻器两端的电压对NPN晶体管施加让其导通的偏压。在NPN晶体管施加偏压而导通后，PNP晶体管将迅速切换成导通状态，导致器件出现“转折”现象。由于PNP晶体管的集电极电流驱动着NPN晶体管的基极，以及与此类似的NPN晶体管的集电极电流驱动着PNP晶体管的基极，该器件处于闩锁状态下。在运行过程中，在电压超过规定的击穿点时，该器件“转折”成一个低阻抗的路径，有效地对过电流状态进行短路。在流经器件的电流降低到规定保持电流以下之前，此器件均保持在这种低阻抗状态下。在过电压事件过去后，器件将复位至高阻抗状态，从而有可能恢复正常的系统运行。
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