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低功耗管理特性让Mobile RAM受欢迎

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作者:章志贤时间:2008-01-21来源:电子产品世界收藏

作者:奇梦达消费类和移动装置高级营销经理 章志贤

  尽管Flash作为非易失性存储能满足特定的存储需求,但相对SD它的成本更高,并且需要更长的存取时间。 是SD的扩展产品,得益于工艺的进步和特殊的芯片设计,与同等密度的标准SDRAM相比, RAM提供了更低的工作电压、工作电流和待机电流,低功耗架构设计可通过温度补偿自刷新(TCSR)和有效存储空间部分阵列自刷新(PASR)两种方式,进一步降低在自刷新模式下的电流,耗电量可节省80%。 RAM可以取代NOR Flash运行操作系统和应用软件,或者部分代替NAND Flash的数据存储功能。

  新型Mobile RAM通常采用非常有弹性的设计概念,将DDR与SDR接合以及x16和x32两种界面放入同一个芯片设计,在后端封装测试前采用bond option技术决定产品最终的接合(DDR或SDR)和界面(x16或x32 );具备单/双面焊垫(pad out)接合版本,能配合任何组件级封装、多重芯片封装(MCP)或系统级封装(SIP)。

  手机等移动设备是Mobile RAM最大应用领域,特别是智能手机因为采用了应用处理器和嵌入式操作系统,对内存的需求高达256M,甚至更高,Mobile RAM 可为这些便携式设备提供经济的高密度存储方案。功能手机和智能手机一般采用NOR + LP DDR(Mobile RAM)的组合。在有些功能手机中, SLC型NAND和Mobile RAM的组合开始流行起来。3合1( SLC + Mobile + MLC)MCP封装需求现在更加受手机制造商的青睐。



关键词: 0801_A Mobile RAM

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