全球的DRAM战不可避免

据日本经济新闻报导，中国台湾的力晶、茂德、南亚及华邦四家DRAM大厂，为与韩国Samsung及日本Elpida等抗争，最近决定再投入100亿美元进行扩产。

全球DRAM的现状
2003年全球DRAM的销售额为174.5亿美元，占全球半导体消费的10.6%。2003年全球DRAM排名如表1所示。其中1~4名占据78.9%，反映DRAM市场的垄断地位。

DRAM是“吞金兽”
自70年代初发明CMOS技术以来，半导体工业从理论上己无多大突破，所以就非常明显的依赖制造技术。
在摩尔定律指引下，半导体工业的进步，除了技术及材料之外，主要体现在两个方面：不断地缩小特征尺寸及使用大直径的硅片。目前特征尺寸已达90nm量产；12英寸硅片也已占硅片总产能的15%，但要真正成为主流，性价比与8英寸硅片相匹敌，尚需时日。不管如何，无论从存储器的每一位成本或者CPU中每万个晶体管的制造成本，几乎还是每18~24个月降低一半，推动半导体工业的进展。目前还不能把半导体与钢铁、汽车等全球成熟工业相提并论。
半导体工业依赖制造技术，而半导体工业已经发展到“设备固化了技术”的阶段,即买到先进的设备，就能保证实现某类先进的工艺技术。因此在一定程度上谁能购买最先进的设备就能在工艺技术中领先。因此，排在全球首位的半导体厂，必须有资金实力，能持续不断地投入，否则就很难始终保持领先。表2为2003~2004年全球半导体产业各地区资本支出成长与所占比例。
全球DRAM的市场竞争尤为剧烈，呈现垄断化。DRAM有自身独特的规律，在设计中矛盾并不突出，只要工艺技术过关，管理水平到位，主要矛盾就在于拼成本。就是说，在一个8英寸或者12英寸圆片上，能容纳多少个256MDRAM的芯片。如Samsung及Infineon等已投入0.11微米的DRAM生产，因此0.13或者0.15微米的性价比肯定不行。另外，Samsung等正大力建12英寸新DRAM生产线。如果12英寸的技术及工艺水平能达到与8英寸同等，则从12英寸中产出的DRAM成本肯定更便宜。所以DRAM的竞争特点是采用最先进的工艺设备及尽可能地采用更大直径的硅片。由此表明，在DRAM的竞争中，很大程度上取决于资金实力。纵观近几年在DRAM市场争得首席的Samsung的动作，就能充分证实这个观点。

0.11微米DRAM己成主流
目前三星的所有产能中，有48%的产出来自0.11微米制程，49%来自0.10微米制程，意即目前Samsung几乎全数产出来自0.11微米以下制程。此外，Samsung也开始使用90纳米制程技术试产NAND Flash，但尚未量产。
美光和英飞凌在第二季时，也都因为0.11微米制程转换不顺，影响产出，但目前2家业者0.11微米制程良率均已大幅提升，且都开始大量投片。美光现阶段在标准型DRAM部分，约有70％的产出是以0.11微米制程为主，而英飞凌也有约70％产出是采用0.11微米制程。英飞凌预计到年底时0.11微米制程产出比重将提升至80％。
　随着国际DRAM大厂走过0.11微米制程转换障碍，目前情况可说是柳暗花明。但反观中国台湾DRAM业者在0.11微米制程进度，则相对落后不少，台厂现阶段主流制程仍停留在0.14/0.13微米制程，0.11微米制程良率虽正逐步提升，但仍处于苦苦追赶阶段。表3为全球主要DRAM大厂采用0.11微米制程的发展现状。
DRAM战在亚洲
由于全球在DRAM技术方面差异不大，所以竞争的焦点转向拼投资强度，即采用最先进的工艺设备，或者扩大12英寸硅片产能。在这样的思维指导下，韩国，中国台湾及日本在DRAM方面的竞争加剧。
目前韩国占先，其中Samsung一家就占全球DRAM的近1/3市场份额，而且稳居第一，独霸天下。日本原先为全球DRAM的老大，后被韩国超过之后，有点消沉。近几年通过改组，分别成立了Renesas及Elpida后稍有起色。目前方针非常清楚，专注高档DRAM产品，将大部分低档产品分包给中国台湾及中国大陆。中国台湾在DRAM方面是老三。然而由于中国台湾在资金方面充裕，加上其总想在IT领域与韩国争个高低。所以近期正在DRAM方面展开反击战，形势咄咄逼人。
台湾厂商投资手笔亦是空前绝后，其中力晶投资额预计为21亿美元，茂德投资金额约达45亿美元，南亚科则预计投资约22亿美元，华邦投资金额约15亿美元，总量达103亿美元。
至于一直以来对投资始终领先的Samsung，更是进一步加码投资。该公司在2004年7月将2004年度的设备投资额调高到8.94兆韩元(约76.8亿美元)，而增加的1兆韩元预算，多半用来增产DRAM。预料2005年该公司的投资脚步仍不会中断。
而日本仅存的DRAM供应商Elpida，在2004年6月中宣布要在3年内投资5,000亿日元，打造全球最大的DRAM生产据点，月产能达6万片。Elpida预言，5年内全球DARM市场版图，仅将由2~3家大厂均分天下。

Hynix与STMicron联手在中国建DRAM生产厂
据报道，韩国Hynix欲联手STMicron在中国建DRAM生产厂。这是中国大陆第一个DRAM生产工厂，之前只是SMIC等代工做DRAM芯片。从披露的消息看，总投资达20亿美元，其中Hynix和STMicron各出资5亿美元，而从中国银行系统贷款10亿美元。计划先建一个8英寸厂，然后按需再建一个12英寸厂。
敢于第一次尝试在中国大陆土地上建DRAM厂，需要有一定的魄力。众所周知，全球DRAM呈垄断态势，韩国的Samsung有点Intel的霸气。加上日本及中国台湾最近都正在加大DRAM的投入，而且投资手笔之大，令人惊奇不己。在这样的背景下，Hynix自身技术水准也仅二流，而且也缺乏资金。如果仅依靠中国政府的资金支持，开初或许还能咬咬牙，之后要连续高强度的支持，恐怕是一个问号。孰凶孰吉，将拭目以待。

结语
全球半导体工业的发展在创新方面(如fabless公司等)，毫无疑问，美国领先。在近600家可以排得上名的公司之中，美国占475家；然而在DRAM生产中，美国仅保留一家，Micron全球第二。所以全球DRAM的战事，不可避免的在亚洲将首先兴起。战事的结果决定于谁敢于冒更大的风险，拼投资强度。从长远发展趋势看，象DRAM这种制造技术优先的产品，将来肯定是韩国及中国台湾的天下。中国欲联手Hynix及STMicron进军DRAM市场，形势比较严峻。因为DRAM是富人俱乐部。