覆盖TD-SCDMA双频段的大功率330W LDMOS

　　国际领先的微波半导体器件制造厂商英飞凌推出了可以覆盖TD-SCDMA 两个频段的大功率330W LDMOS，器件型号为PXAC203302FV。该器件适用于1880-2025MHz频段，可以用于基站多载波射频功率放大器。PXAC203302FV采用非对称Push-Bull结构，载波功放130W，峰值功放200W，在非对称Doherty功放中可以实现更高的效率。

　　PXAC203302FV特性：

　　宽带内部输入、输出匹配

　　适用于非对称Doherty设计：Main: 130W, Peak: 200W

　　28V，2025MHz，Doherty结构CW测试性能

　　输出P1dB=250W，效率=55%，Gain=16dB

　　可以承受10:1 VSWR 驻波比失配@28V，250W 输出

　　Human Body Model Class 2 (per ANSI/ESDA/JEDEC JS-001)

　　内部集成ESD保护

　　低热阻

　　无铅，符合RoHS标准

　　表1. PXAC203302FV 射频性能

　　图1.PXAC203302FV ACPR &Eff

　　图2.PXAC203302FV Gain &Eff

　　PXAC203302FV 采用H-37275-4封装，整体尺寸仅为32.6mm×16.6mm，这为缩小板面积提供了便利。得益于英飞凌先进的LDMOS制造工艺，PXAC203302FV具有良好的热性能、可靠性以及坚固耐用性。