Intel的RAM、ROM情结

　　很久以前，在AndyGrove主导Intel的时代，Intel的DRAM业务因日本DRAM(如NEC，之后成为Elpida)的大举进攻而亏损，最后被迫关闭该业务，全心转型、聚焦发展CPU。

　　但DRAM与PC息息相关，如果DRAM过慢，CPU快也没用，整体PC效能还是慢，若DRAM涨价，PC厂也让新出厂的PC少配置一点DRAM，DRAM少的结果，为了让PC整体效能批配，也会减少购买较高效能的CPU，Intel的收益也会减少。所以，Intel曾入股Micron，期望有些DRAM产供上的调控影响，以确保高阶CPU的销售。

　　虽然关闭自身DRAM业务，但Intel对RAM的规格标准走向仍具高影响性，为了让RAM快，Intel运用其PC晶片组高市占率，使PC从FPMRAM升级成EDORAM，进一步升级成绘图工作站用的SDRAM(成为主流大宗，随后成为DDR/DDR2/DDR3/DDR4等)，但之后引领进入RDRAM失败，更之后引进FB-DIMM也失败，Intel失去对RAM的影响力。

　　过去Intel能引领RAM走向，在于多数生产出的RAM都用于PC，Intel对PC具有掌控权，但后期的RAM越来越多用于绘图卡、行动装置，衍生出GDDRSDRAM、MobileDRAM，加上JEDEC组织逐渐健全壮大，单一业者已难影响RAM走向，需要JEDEC成员的共识。

　　Intel仍在PC、伺服器领域有高市占率，在FB-DIMM失败后，近年来转拥抱Micron提出的HMC(HybridMemoryCube)，目前在高效能运算上似有初步成效，若可行将逐步推展至一般伺服器。

　　RAM的价格、效能会影响PC整体效能，但硬碟也会，Intel无法影响硬碟供应链，但也看出随时带演变，用NANDFlash取代硬碟的趋势日增，因而投入SSD业务。

　　NANDFlash属非挥发性记忆体，断电后资料仍能记忆，过去Intel发明过EPROM，且曾是Intel的摇钱树业务，但随着EEPROM、Flash的出现EPROM已绝迹，而NANDFlash为产业主流趋势确立后，于2008年把自家的NORFlash业务转手给Numonyx，事实上在更早的2006年，Intel就与Micron合作，合资成立IMFlash以进入NANDFlash市场，在当时已属晚进入，NANDFlash的主导业者为Toshiba、Samsung、SanDisk等。

　　Intel也曾在2005年提出Rubson技术、2006年提出ONFI介面，试图左右NANDFlash的发展，或至少左右在PC上运用NANDFlash的方式，但都不如预期，Intel自身也发展相变记忆体(Phase-ChangeMemory,PCM)，期望PCM取代硬碟、NANDFlash，有助提升整体PC效能，但PCM一直无法商业化。

　　到了2015年7月，Intel与Micron共同发表3DXPoint记忆体，宣称是自1989年NANDFlash提出以来，再一次的非挥发性记忆体的技术变革，目标依然在超越现有Toshiba、Samsung主导的NANDFlash。

　　对于3DXPoint，目前看法相当分歧，多数人认为它最终会跟PCM一样无法商业化，也有人认为这真的是过往未曾有过的新架构，也有人说它只是旧瓶装新酒，是另一种作法的ReRAM(可变电阻式记忆体)等。

　　Intel仍试图进入或左右RAM、ROM，但动机不再是同步拉升PC效能以确保高阶CPU销售，Intel位居半导体产业第一位，过去的第二位曾有Motorola、NEC等，但盘据第二位最久的劲敌为Samsung，Samsung多年前即想进入处理器市场，2002年曾代工生产Alpha晶片，可惜Alpha电脑系统式微，Samsung是从iPhone处理器代工开始站稳脚步(更之前是以大优惠方式供应NANDFlash而打入Apple供应链)，所以Intel对RAM、ROM技术与业务的看法，也带有竞争回击意味。

　　除了与Samsung竞争外，Intel另一个必须掌握RAM、ROM的理由，在于PC逐渐式微，Intel与过往被Intel击败的CPU厂商一样(VIA/IDT/Cyrix、AMD等)，试图让CPU在嵌入式市场有所发展，以维持销售，甚至以新兴的穿戴式、物联网概念为名来转向。

　　另外，Intel也想发展晶圆代工，与台积电争抢生意，也在进入嵌入式市场后发现FPGA应用越来越重要，想进入FPGA领域(另一则是FPGA在台积电的产能占比中越来越高)，因而为Altera代工生产FPGA，更之后购并Altera(2015年6月)，然此已属另一话题。