存储器革新将引发电子产业蝴蝶效应？

　　经过几十年的发展，电子产业几乎已成为一个线性系统，并被摩尔定律(Moore‘sLaw)左右。然而随着摩尔定律逐渐出现松动，越来越多新技术开始浮上台面。这些技术不仅仅是既有技术的改进，而是全面的变革。电子产业可望借由这些新技术转型成为非线性系统，推翻多年来电子产业所定立的主张。

　　存储器技术近年的发展，可能就此改变存储器与处理技术在1940年代便已确立的关系。连续存储器配置的效率尽管不断受到挑战，但系统的惰性使得这种配置几十年来维持不变。

　　即使在对称多处理系统中，存储器的配置仍多是连续空间，资料从存储器前往处理器的途中，往往会卡在资料汇流排的位置，这是由于存储器与处理元件相距过远的缘故。事实上，目前架构中处理与存储器的速度与功率分布差异越来越大，并影响了芯片外的资料传输速度。

　　Rambus于是利用DDR介面的类比结构将存储器与逻辑连结，加速资讯传送并将讯息转换回逻辑，不过这都还需建立在存储器与逻辑为两个独立单位的前提下。一旦将存储器置于逻辑之上，便可用几百万条线路连接存储器与逻辑，改变整个既有的架构。

　　垂直化的芯片结构越来越受到瞩目。传统芯片间中介层(inter-chipinterposer)、打线的堆叠，以及矽穿孔(ThroughSiliconVia;TSV)连接，已逐渐成为主流。各种存储器、逻辑、MEMS、RF等技术，也能以更具成本效益的方式整合。

　　然而3D存储器不只是芯片堆叠。3D存储器架构还可同时处理多层资料。三星电子(SamsungElectronics)与东芝(Toshiba)便一路从24层存储器发展到48层。然而这并不代表矽穿孔完全失去了价值。矽穿孔仍能有效减少I/O功率，提供更高的存储器密度。

　　3D堆叠架构不免会产生功率与热能的疑虑。所幸存储器并没有太高的功率需求，只有在读写时才会消耗电力。

　　SRAM与DRAM很久前便停止了微缩的脚步，自旋(spintorque)、ReRAM、相变(phasechange、交*点(crosspoint)等新的存储器技术纷纷出现。这些新技术的共同点，便是材料科学与物理学上的突破。

　　然而存储器与处理器间的沟通延迟，已困扰电子产业30多年，并非上述新技术可以完全解决，顶多是缩短了中间的差距。

　　此外，存储器技术与电晶体脱勾后，便可成为后段制程(BEOL)存储器，编码与感应放大器都可置于存储器阵列下，较SRAM省下不少空间。未来的系统单芯片(SoC)，可能不再需要使用SRAM。