GaN技术和潜在的EMI影响
最后，我用R&S RS H 400-1 H场(H-field)探针(图8)来量测GaN组件附近的近场和通过负载电阻器的高频电流(图9)。
本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/277867.htm
图8使用R&S RS h400-1 H场探针测量接近GaN开关装置近场辐射。
图9 H场探针测试结果。黄线是环境噪声位准，紫线是GaN组件附近的测量，蓝线则是在10奥姆的负载电阻，辐射终于在约800MHz处逐渐减少。
注 意(除了所有宽带噪声位准，峰值出现在约220 MHz)振铃频率(标示1)，以及在460MHz(标示2)的谐振。从过往的经验，我喜欢把谐波位准降到40dBuV显示行(Display Line)，也就是上面几张屏幕截图中的绿线。两个共振都相当接近，并因而导致“红旗”。
GaN组件价值显著
GaN 功率开关的价值很明显，效率也比MOSFET来得好。虽然GaN技术已问世，但我只看到少部分数据谈论这些皮秒开关装置如何影响产品EMI的发生。底下我 列出了一些参考，以及在使用GaN组件时，会“扫大家兴”的部分，但我相信有更多研究需要去完成EMI会发生的后果，至于EMI工程师与顾问在未来几年也 将可望采用GaN组件。
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