三星与谷歌签署协议 合作生产3D NAND 闪存

　　据科技资讯网站ZDNet 4月1日报道，韩国三星电子日前已与谷歌签署生产3D NAND固态硬盘的协定，业界认为此举是三星对抗全球固态硬盘生产商的重大举措。

　　据知情人士透露，此项合约价值“相当巨大”，但具体数额尚不清楚。这位匿名人士还表示，“此项合约规定三星应为谷歌数据中心供应3D NAND固态硬盘。三星正与谷歌就保证出货量及价格等存在小分歧的细节进行商谈。”

　　《韩国时报》报道称，三星拒绝对此事置评，同时报社未能联系到谷歌。三星的3D NAND固态硬盘制造工厂设在中国西安，预计今年3D NAND芯片出货量将达到96万，2014年为48万。

　　三星公司始终是3D NAND芯片行业的佼佼者，近年来，该公司发布了几代3D NAND芯片，其中包括2013年8月首次公开发布的企业级3D V-NAND NAND芯片。

　　然而就在本周早些时候，英特尔和美国镁光科技宣布了生产3D NAND芯片的计划，该芯片采用了浮栈存储单元的创新工艺架构技术，扩展了针对闪存的摩尔定律的功效，从而使密度获得高于现存产品3倍的显着提升。两公司称预计该芯片将于今年第四季度全面投产。