一种软启动与防反接保护电路

作者：聂剑时间：2015-02-11来源：电子产品世界收藏

编者按：　　摘要：在很多消费电子设备中用到了软启动电路与防反接电路，其保护作用非常显著。多数的设计中，这两种电路独立存在，或者仅有一种保护电路，导致部分保护功能缺失或者电路设计复杂。本设计提出一种设计方法，同时实现软启动与防反接保护功能，且电路简单。　　软启动与防反接保护电路对电子设备有很好的保护作用，由于消费电子客户存在多次开关机的应用场景和输入接反的可能性。但是由于成本与电路设计的复杂性，很多设计中只提供了一种保护电路。本文基于提供全面保护与降低成本、降低设计复杂性的角度，提出一种电路，整合了软启动与防反

　　4.1.2. 二极管桥防反接保护电路

本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/269825.htm

　　此方式是从二极管防反接电路演变而来的，电路图见图6。

　　此电路中利用二极管构成二极管桥堆，输入电压极性无论如何变化，输出电压的极性保持不变，即便是输入电压极性接反，设备也能正常工作。从工作原理看，相当于电源输入的两个极性上均接有防反接二极管，故其比单个二极管防反接电路的效率低，成本稍高。需要注意输入输出的参考地不相同。

　　4.2 MOSFET防反接保护电路

　　利用MOSFET设计防反接保护，也分为P沟道与N沟道两种，下面分别介绍：

　　4.2.1 N沟道MOSFET防反接电路

　　利用N沟道MOSFET设计的防反接保护电路，电路图见图7。

　　当输入电压正常接入时，电流从输入正极流入，流经电阻R1、R2，经过Q1的体二极管流回输入端。Q1栅极源极之间电压即为电阻R2上的分压，选择适当的R1、R2值，满足Q1饱和导通。当输入电压极性接反时，Q1的体二极管反向截止，由于没有电流回路，栅极源极之间电压无偏置电压，Q1不能导通，输出端无电压输出，设备不工作。需要注意两点：Q1的体二极管参与电阻R1、R2的分压;输入输出的参考地不相同。

　　4.2.2 P沟道MOSFET防反接电路

　　利用P沟道MOSFET设计的防反接保护电路，电路图见图8。

　　当输入电压正常接入时，电流从输入正极流入，流经Q1体二极管，经过R1、R2流回输入端。Q1上栅极源极之间电压即为R1的分压，选择适当的R1、R2值，Q1最终工作在饱和状态。当输入极性接反时，由于Q1的体二极管截止，无电流回路，栅极源极之间电压无电压偏置，Q1不能导通。需要注意，Q1的体二极管参与电阻R1、R2的分压。

　　5 一种软启动与防反接电路

　　实际应用中经常需要同时使用软启动与防反接保护，可以考虑将两种保护电路整合在一起，下面给出一种整合方式供大家参考，分为N沟道MOSFET与P沟道MOSFET两种。

　　5.1 N沟道MOSFET整合

　　N沟道MOSFET整合后的软启动与防反接保护电路，电路图见图9。