一种软启动与防反接保护电路

　　2.3.1 用N沟道MOSFET设计的软启动电路

　　利用N沟道MOSFET设计的软启电路，电路图见图3。

　　工作原理：当输入上电时，由于C1的电压不能突变，输入电压通过R1对C1进行充电，充电时间由R1与C1共同决定，最终C1电压达到R2上的分压。C1上的电压也即是Q1的栅极源极之间(N沟道MOSFET的导通条件为栅极电压高于源极电压)的电压，电压是从零开始，Q1的工作状态也即是从截止区^[4]到恒阻区^[4]，再从恒阻区到饱和区^[4]，在恒阻区时能起到很好的软启动作用，最终的饱和区导通电阻很小，其耗散功率可以忽略。利用N沟道MOSFET做软启动比较常见，N沟道MOSFET的价格较便宜，此电路的输入与输出的参考地不同(相差很小)，实际应用中需要注意。

　　2.3.2 用P沟道MOSFET设计的软启动电路

　　利用P沟道MOSFET设计的软启电路，电路图见图4。

　　工作原理：当输入上电时，由于C1的电压不能突变，输入电压通过R2对C1进行充电，充电时间由R2与C1共同决定，最终C1电压达到R1上的分压。C1上的电压也即是Q1的栅极源极之间(P沟道MOSFET的导通条件为栅极电压低于源极电压)的电压，电压是从零开始，Q1的工作状态也即是从截止区^[4]到恒阻区^[4]，再从恒阻区到饱和区^[4]，在恒阻区时能起到很好的软启动作用，最终的饱和区的导通电阻很小，其耗散功率可以忽略。利用P沟道MOSFET设计的软启动电路，输入输出的参考地相同，相同性能的P沟道MOSFET相对N沟道的MOSFET的价格稍高。

　　3 防反接电路的作用

　　由于直流电输入是有极性的，如果用户将电源极性接反时，可能会损坏设备。故在多数的直流输入设备中，均会设计防反接保护电路。

　　4 防反接电路

　　常见防反接电路有以下几种：

　　4.1 二极管防反接保护

　　二极管防反接电路有以下两种：

　　4.1.1 单二极管防反接保护电路

　　此方式的防反接电路应用较广泛，利用二极管单向导通的特性来防反接。主要是在高电压、低电流的电路中，电路图见图5。

　　此处使用的二极管D1可以是普通的二极管，但结电压一般在0.7伏^[4]左右。如果对效率较敏感，可以使用肖特基二极管，其结电压一般在0.3伏^[4]左右，但是价格稍高。此电路的优点是电路极其简单、可靠性高，缺点是耗散功率较大。