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基于ATmega8单片机控制的正弦波逆变电源

作者:时间:2015-01-26来源:网络收藏

  如图4所示为高频电压逆变电路,由4只IRF3205管构成全桥逆变电路,IRF3205采用先进的工艺技术制造,具有极低的导通阻抗,加上具有快速的转换速率和以坚固耐用着称的HEXFET设计,使得IRF3205成为极其高效可靠的逆变管。从输入端Q1PWM,Q2PWM输入的高频脉冲串控制这4个管两两导通,对VIN输入的直流低压进行斩波,然后经升压变压器后,逆变成高频交流方波,此时流通的电流为磁化电流,所以选取Philips公司生产的BYV26C超快软恢复二极管组成了全桥整流电路,该管子重复峰值电压为600 V,正向导通电流为1 A,其反向恢复时间30 ns,可以满足电路的参数需求,整流后的电压经滤波电路后输出直流电压260 V,送往DC/AC逆变电路,另外260 VDC经降压处理后作为作为反馈信号输入图3中的VFB端,作为高频逆变电压的反馈信号。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/268656.htm

  

 

  3.2 DC/AC输出电路的设计

  DC/AC变换输出电路采用全桥逆变单相输出,其驱动输入波形则由单片机输出信号驱动半桥驱动器IR2110 输出工频驱动信号,通过单片机编程可调节该输出驱动波形的D<50%,保证逆变的驱动方波有共同的死区时间.如图5 所示,QA1~QA4 端分别接到单片机的PB1~PB4 引脚,由此引脚输出信号驱动两片IR2110,分别从PWM1~PWM4输出50 Hz的工频信号去驱动桥式逆变电路产生正弦波形。

  

 

  IR2110 是IR 公司生产的大功率MOSFET 和IGBT专用驱动集成电路,可以实现对MOSFET 和IGBT 的最优驱动,同时还具有快速完整的保护功能,因此它可以提高控制系统的可靠性,减少电路的复杂程度.如图6所示,HIN 和LIN 为逆变桥中同一桥臂上下两个功率MOS的驱动脉冲信号输入端.SD 为保护信号输入端,当该脚接高电平时,IR2110的输出信号全被封锁,其对应的输出端恒为低电平;而当该脚接低电平时,IR2110的输出信号跟随HIN和LIN而变化,因此,在本系统中,两片IR2110芯片的SD端共同接到单片机的PB0引脚,用于实时控制IR2110 是否处于保护状态.IR2110 的VB 和VS 之间的自举电容较难选择,因此直接提供了15 V恒压,使其能正常工作。

  

 

  逆变正弦电压输出电路有两种调制方式,一种为单极性调制方式,其特点是在一个开关周期内两只功率管以较高的开关频率互补开关,保证可以得到理想的正弦输出电压,另两只功率管以较低的输出电压基波频率工作,从而在很大程度上减小了开关损耗,但又不是固定其中一个桥臂始终为低频(输出基频),另一个桥臂始终为高频(载波频率),而是每半个输出电压周期切换工作,即同一个桥臂在前半个周期工作在低频,而在后半周则工作在高频,这样可以使两个桥臂的功率管工作状态均衡,对于选用同样的功率管时,使其使用寿命均衡,对增加可靠性有利.另一种为双极性调制方式,其特点是4个功率管都工作在较高频率(载波频率),虽然能得到正弦输出电压波形,但其代价是产生了较大的开关损耗.如图6所示,本文的逆变输出电路采用了单极性调制方式,这样可以提高波形的平滑度,增加电路的可靠性.图6 中的PWM1~PWM2 分别接收来自图5 的输出驱动信号,驱动由4个具有500 V耐压值的IRF840开关管组成的桥式逆变电路,将260 VDC 逆变成220 V,50 Hz的交流电,经LC 滤波后供给负载.图6中的IFB端和ACV端,分别和为电流和电压的采样,送到单片机的PC4和PC5引脚进行A/D转换,再由单片机将转换果用于功率计算和电路保护之用。



关键词: ATmega8 逆变电源

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