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台积电三星 明年强攻3D IC封装

作者:时间:2015-01-03来源:经济日报 收藏

  资策会MIC表示,明年包括美光、、海力士及等半导体大厂,持续精进推出3D 技术。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/267606.htm

  资策会产业情报研究所(MIC)指出,全球首颗3D IC异质整合晶片HMC(Hybrid Memory Cube),将在明年正式量产,由记忆体大厂美光(Micron)和(Samsung)为首的混合记忆体立方联盟(HMCC)推出。

  资策会MIC表示,混合记忆体立方HMC,以3D IC技术堆叠多层动态随机存取记忆体(DRAM)和一层逻辑晶片,属于异质整合晶片。

  另一方面,资策会MIC指出,记忆体大厂海力士(Hynix)明年也将推出高频宽记忆体HBM(HighBandwidth Memory),以3D IC技术堆叠四层DRAM,属于同质整合晶片。

  明年在3D IC领域,也可望明显进展。资策会MIC表示,明年推出最新的InFO(IntegratedFan Out)封装技术,成本将低于目前2.5D IC层级的CoWoS技术。

  MIC指出,台积电InFO封装技术,可因应物联网及穿戴式装置所需晶片轻薄短小趋势。



关键词: 台积电 三星 IC封装

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