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锁定巨量数据应用 三星加快量产DDR4、TLC SSD

作者:时间:2014-12-11来源:Digitimes 收藏

  电子(Samsung Electronics)为迎接巨量资料(Big Data)时代的来临,将以资料储存半导体事业一决胜负,目标拟以 DRAM和3D V-NAND为基础的固态硬碟()列为核心产品。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/266686.htm

  据韩国Inews 24报导,总括负责半导体事业部的DS部门将扩编人力,在集团底下成立巨量资料中心,并依照产品分析消费者的喜好程度等,强化事业力量。

   DRAM相较于DDR3,待机电流减少30%、耗电量减少35%,是能源使用效率高的产品。资料传输速度也较DDR3快2倍以上,可大幅提升资料传输量,作为次世代服务器DRAM解决方案。

  报导引用市调机构IHS资料指出,2015年市占率将较2014年成长5倍以上,达10.3%,至2016年将以25.8%超越DDR3的23.3%。

  于2013年8月投入信息中心资料库(Enterprise Server)专用高速20纳米级DDR4模组量产作业,10月也成功领先全球量产20纳米8Gb DDR4服务器用DRAM。三星计划通过最快2014年底完工的华城17产线供应DRAM,以12寸晶圆计算,每月可生产4万~6万片。

  三星2014年第3季的DRAM市占率季增18.4个百分点,达41.7%,营收50.19亿美元,在DRAM领域位居全球第一。

  三星2015年将量产以3-bit V-NAND为基础的,最快2015年第1季将通过大陆西安半导体厂开始供应。3-bit V NAND是采用TLC技术的高性能NAND Flash,将传统呈现平面的半导体Cell传质堆迭,扩大可储存的信息容量。1个Cell可储存的信息量较SLC多8倍,同时达到成本缩减30%以上的效果。

  近来在半导体市场上,SSD价格持续滑落,三星计划以具性能和价格竞争力的TLC SSD创造获利。IHS资料指出,256GB SSD平均销售价格(ASP)在2014年第3季为124美元,较2013年同期的171美元下滑27.5%。

  三星内部人员表示,三星2015年将推出搭载3-bit V-NAND的服务器用SSD及一般消费等级SSD系列产品,无论在价格竞争力和性能方面,都较竞争对手更具优势。



关键词: 三星 DDR4 SSD

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