研调：明年DRAM产值估增16%，产业获利能力看升

　　TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange预估，全球2015年DRAM产值将达541亿美元，年增16%，为市场稳定、获利成长的一年。DRAMeXchange指出，受惠于全球智慧型手机持续热销，一线DRAM大厂纷纷转进行动式记忆体，预估2014年行动式记忆体将占整体DRAM产出的36%，2015年更有机会突破40%大关。

　　DRAMeXchange研究协理郭祚荣表示，拜行动式记忆体需求畅旺所赐，标准型记忆体产出相对减少，反倒让模组价格始终维持在高价水位，2014年4GB模组均价约32美元，标准型记忆体毛利率平均达40%以上;各DRAM厂也将朝向全面获利的状态，寡占市场格局与需求端市场变化都将牵动2015年DRAM产业未来发展。

　　DRAMeXchange指出，DRAM产业转为寡占市场结构，仅存的三大DRAM厂皆以获利导向为优先，谨慎控制产出与产品类别的调整，加上全球智慧型手机持续维持高度成长，亦让产能转向行动式记忆体，挤压到标准型记忆体的产出，让标准型记忆体市场价格维持高价水位，俨然成为DRAM厂的金鸡母，因此在获利方面都交出亮眼的成绩单。

　　而三星与SK 海力士不约而同在2014年宣布扩建新厂的消息，产能竞赛再起的传闻甚嚣尘上，但事实上，DRAMeXchange指出，三星在扩建Line17的同时，Line16 DRAM产能已悄悄缩减并归还给NAND事业部使用。而SK海力士M14预计在明年第四季才有少量投片，较大规模的投片将在2016年才会浮现。整体而言，由于市场需求仍会持续成长，工厂只是为未来需求而兴建，只要投片产出是有计划性的，后续价格虽然会逐季下降，但只要制程转进持续进行，DRAM厂获利仍能够保持在现有水位。

　　除此之外，2014年智慧型手机走入平价化，不少高规低价机种在全球市场攻城掠地，让新兴市场掀起一股智慧型手机的换机潮。郭祚荣表示，在智慧型手机市场不停扩大的同时，2015年行动式记忆体市占也逼近全球市场的40%，相较于标准型记忆体27%的占比，行动式记忆体已跃升全球DRAM市场主流产品。另一方面，从行动式记忆体做观察，2015年主流规格仍是LPDDR3，产出量达60%以上，而新规格LPDDR4将在明年首度应用在旗舰智慧型手机机种，无论省电机制与时脉更胜LPDDR3，预计2015年市占率将达到15%。

　　DRAMeXchange并指出，韩系DRAM厂25nm制程在2014年下半年已迈入成熟期，无论良率与投片规模都成为DRAM主流规格。至于20nm制程，三星已进入验证阶段，SK海力士预计在明年第二季初进入市场;相较之下，美光目前规划只有华亚科 (3474)才有20nm制程的标准型记忆体，转进进度较两大韩厂落后，目标2015年底达到80K投片量。由于进入20nm制程需要更多的设备来生产，意味着需要更多的资本支出，然而在获利导向下，各厂20nm制程的转进比重将会趋缓。

　　DRAMeXchange认为，在英特尔强势主导与DRAM厂的全力配合下，DDR4记忆体将在伺服器领域率先切入。郭祚荣表示，伺服器记忆体除了稳定性的要求外，近期更着墨于低电压与速度兼顾。根据JEDEC的规范，DDR4电压值仅有1.2V，未来速度更可高达3200 Mhz。而价格部分也正与伺服器用DDR3逐步贴近，DRAMeXchange预计，DDR4最快于2015年底取代DDR3，正式成为伺服器市场记忆体主流。