世界半导体市场展望

　　半导体工艺的微细化是摩尔定律发展的标志，它从1970年的10mm(微米)迈进到1980年的3mm，1990年的0.5mm，2000年的0.13mm，2005年开始跨入nm(纳米)时代，达到90nm，2010年跃进到32nm～45nm。世界纯代工企业走在微细化工艺的最前头，据IC Insights公司的最新报告，世界首位代工公司台积电2014年的销售中，釆用了≤45nm工艺的占60%，第二大代工公司GlobalFoundries也占到了57%，比重相近，2014年，≤28nm工艺将成为主流，代工业中使用这类技术的器件销售额比2013年可大幅上扬72%，达到51亿美元，占代工销售总值的29%，而采用 >28nm工艺的器件所占比重虽仍占71%，但其销售额仅略增4%(表2)。据报道，我国中芯国际公司于2012年初开始采用45nm工艺，比台积电晚了3年，2014年采用≤45nm工艺生产的器件仅占公司销售额的15%。另据中芯国际CEO邱慈云透露，目前公司正在做北京12英寸新厂的设备移入工作，预计明年第4季度将有1万片28nm的晶圆产能，上海也有部分28nm的试验线产能。同时，中芯国际还在进行14nm工艺的研发，预计在2016年到2017年间可实现工艺的开发。

　　《日经电子》曾预测，半导体微细化在2015～2020年间将从22nm发展到16nm。从现有信息看，微细化将继续前进，有报道说，FinFET(鳍式场效晶体管)的生产工艺可以迈进到7nm，甚至5nm，当然要采用新的材料。再看各公司的实际情况，2013年Intel公司投入130亿美元，坚持按摩尔定律前进，已开发出14nm 技术，领先其他公司3年，还正着手转向450 mm晶圆生产，2014年推出全球首款14nm处理器Core M，并宣布不采用EUV(远紫外)光刻技术走向7nm芯片之道。IBM半导体部门已出售给了GlobalFoundries公司，但也有报道曾说该公司今后5年内对半导体将投资30亿美元，研发7nm以下的新工艺和取代硅的新材料。台积电2015年投资将扩大到100亿美元以上，准备量产16nm FinFET，并计划2016年使10nm工艺实用化。联华电子将在2014年底试产14nm工艺产品。

　　三星公司投资103亿美元，重点将放在DRAM尤其是NAND闪存的开发上，2014年已展示了14nm的FinFET处理器。一般说，NAND闪存的微细化快于DRAM，今天前者已跨入10nm时代(10～12nm)而后者还停留在20nm工艺上，两者今后还都将向3D发展，三星已于去年发表了3D结构的NAND闪存――3位/单元的128G产品“V-NAND”。IC Insights公司给出了一个大致的发展蓝图(表3)，更值的一提的是，美国斯坦福大学生物系的技术人员已试制出模拟人脑的芯片――“Neurogrid”，据介绍，其运行速度比普通PC高出9000倍，而耗电量却远低于PC，可用于人型机器人及假肢控制等。