你造吗？ 四大MOSFET实用技巧

　　三， MOS管的防静电使用技巧

　　一般在MOS管的使用过程中都非常注意防静电破坏。MOSFET 的栅极-源极间最大额定电压约为±20V,如果驱动电压超出这个范围,就很有可能永久损坏MOSFET,主要是因为MOSFET 输入阻抗大特点,电荷不能及时的流走,积聚在门极(G),就会造成Vgs大于这个±20V 的范围,这时候MOSFET 就可能损坏。这就是为什么一定不准用手去摸MOSFET 的引脚的原因,手上的静电高达千伏,MOSFET 一下子就被击穿了。

　　记住,不要用手拿住MOSFET 的腿,不然可很不专业。为了防止MOSFET 被静电破坏,大家也是费尽脑汁,除了严格按照规章制度外,带上放电手套,电烙铁接地等等都是必要的。

　　静电问题往往是MOSFET 的薄弱处。在电路设计中应该怎么来保护MOSFET 呢?既然Vgs 不能大于20V,那我们就可以在G 和S 之间,加一个20V 的稳压管,来防止干扰脉冲或是静电破坏MOSFET。

　　四，单片机控制MOSFET 的应用技巧

　　说到底，MOS管主要是应用，按照MOS管的datasheet来说，确实比较复杂，对于初学者来说，就是名词就够折腾一阵。当然MOS管的datasheet中的主要参数还是必须要稍微了解的。今天就不在这里大谈了。

　　为了说明MOS管的应用技巧，为了给初学者一个鲜明的使用简单的印象，这里只接受两个简单开关应用，让大家迅速掌握这个应用技巧。

　　1.一个简单的单片机控制MOSFET 导通电路，包含着所要讲的MOSFET 的应用技巧，如图6

　　图6：单片机控制MOS管导通

　　可以看得出,这个比较器的反向端我给他一个1V 的恒定电平(当然,0.5V/1.5V 都行),MCU_IO(接单片机的控制端口)如果输出高电平(电压肯定高于1V),比较器的输出结果就接近于VCC。

　　这里需要注意,比较器输出的电压到底是多少?NO。不知道就对了,因为此时比较器输出的所谓高电平,其实是比较器的供电电压VCC,给这个比较器供电电压时多少,就输出多少(略小于VCC),比如,这里我们给比较器的供电电压12V,此时比较器输出12V,这个12V 就加在MOSFET 的门极 上,MOSFET 就会导通,负载就会通电.实现这个电路芯片比较多,比如LM358/LM324 等等。

　　2.比较常用的三极管控制MOS管应用实例，不要急着说简单,还有个更简单的，如图7

　　图7 比较常用的三极管控制MOS管应用实例

　　这个是摘自实际应用的驱动电路，选取其中一部分给大家了解。图中电阻R17 和三极管Q4,当MCU_IO 是高电平1 的时候,三极管导通,MOS管的门极电压降低到低电平,MOS管 关闭，当MCU_IO 是低电平的时候,三极管Q4 关闭,此时MOS管导通。

　　这个是不是更简单?怎么,太简单了,怀疑会不会管用,放心好了,本官家里的楼顶上就有两套太阳能发电系统,就是这样设计的,每天晚上家里的灯会自动打开,其中一套的回路就是这个,没有问题的。

　　以上是四大MOSFET实用技巧，其实,MOSFET 的使用和应用的驱动电路灵活多变,还有很多很多,有时间再和大家讨论,写这些的目的就是给大家个启事,明白了MOSFET 的这些技巧后,驱动电路就自己开动脑筋去设计吧。