放大器助基站尺寸再创新低

根据对TD-LTE的增长预期以及基站将以多频段、多模式运作，大部分新开发的器件具有禁止功能，在操作传输或接收状态时，可以让系统轻松地关闭各自的功能。这样一来，在系统中也可以降低功耗。

TriQuint基站小信号产品营销经理Tuan Nguyen介绍，该公司新发布的两款低噪声放大器（LNA）TQP3M9036和TQP3M9037提供了低于0.5dB的噪声系数，并具有高线性性能和高增益（图2）。为了提供多模基站（尤其是TDD-LTE）的灵活性，这些新的低噪放也提供了关闭模式功能。

图2：低噪放为基站提供噪声系数、线性度和可靠性的最佳组合。

另外，针对无线基础设施市场和点对点应用的元器件，终端制造商需要集成度更高的解决方案，并保证高线性性能和持续实现低功耗。借助功率放大器实现更高的效率，进而降低运营成本支出，一直是制造商的需求。GaN和高压HBT被视为是满足高效率需求的可能解决方案。集成度更高的射频解决方案和高效的功率放大器使基站尺寸不断降低——10年前像电冰箱一样大的基站现在缩小为背包大小的远端射频头，并且还将演进成手提袋大小的有源天线或是小型蜂窝解决方案。

中国在基于无线应用的时域双工（TDD）的部署上已经处于领先地位，例如：个人手机系统（PHS）及TD-SCDMA.这有助于推进比其他类型无线基础设施系统更快的下一代TD-LTE的部署。TriQuint为基站设备同时提供了众多无源和有源器件，包括：射频和中频滤波器、混频器、线性放大器、增益模块、低噪放和功放等。各种级别的集成器件均支持基站演进。

其中，一级器件具有高增益并集成了匹配电路。采用这些产品可以消除上行线路中一级或多级增益，无需采用外部匹配电路，从而减小基板尺寸、降低成本。二级器件采用单一封装集成多种功能，可以减小整体尺寸，例如，LO缓冲放大器取代了多级放大器或混频器。三级器件将两级放大器与级间匹配电路组合在一起，消除了放大器之间所需的外部匹配电路，同时降低了系统成本和尺寸。四级产品采用全封装集成。这些模块集成了两个放大器、数字步进衰减器、所有匹配器件、偏压扼流圈、正极旁路电容和隔直流电容，为降低成本和实现更加紧凑的设计提供了50Ω解决方案。

他表示，下一代功放很可能会采用如GaN或HV-HBT的更新技术。现今，GaN仍然面临成本挑战，但与任何新技术一样，随着产量的增加及收益提高，成本问题也将改善。预计小蜂窝部署在未来几年中将会有爆发性的增长，这样将会对集成度更高，更有效的功放产生更多的需求。TriQuint是唯一一家同时提供GaN和HV-HBT技术的供应商，同时，TriQuint也深入参与了采用这些前沿技术的产品的研发。

学习宝典：功放电路的原理及设计指南