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专用高频E类功率放大器的研究

作者:时间:2013-12-13来源:网络收藏

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/259621.htm

4.测试结果及分析

测试芯片在DCS、GSM频段内工作状况经过频谱分析仪截图可以看出在高脉冲电压下其输出信号波形如图4、图5所示,从截图中可以看出信号在 1800MHz的时候得到了放大且大小约为34dBm,800MHz的时候得到了放大且大小约为33dBm,满足了信号经过芯片放大后在DCS下应该达到 32dBm以上GSM应达到30dBm以上,从波形中可以看出经过放大的信号没有明显的杂散现象说明芯片在高脉冲的时候能够很好的将输入信号进行放大。

当脉冲电压是一个低电压时,即GSM条件下令脉冲电压值为0.55V而DCS条件下脉冲电压值为0.45V.DCS和GSM频段输入信号经过功率放 大后的输出波形分别如图6和图7所示,从图6中可以看出信号在1800MHz时得到了放大效果其值达到了11dBm以上,达到了功率放大器在小脉冲电压下 功率放大要求。GSM下低脉冲电压输出波形如图7所示,从图中可以看出信号在800MHz处得到了放大,其值在6dBm以上,达到了放大器在小脉冲电压下 的功率放大要求。

因此芯片在高低脉冲电压下都能很好的将DCS和GSM信号进行功率放大且放大后的信号无杂散。

5.总结

本次实验模拟手机信号功率放大,对进行了测试实验,通过观察输出信号的变化判定芯片是否能正常工作,测试效果良好。

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关键词: 高频 射频 E类功率放大器 漏电流 开关模式

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