基于封装天线（AiP）的过孔分析
图4封装天线等效电路图
以上讨论的均为过孔沿纵向布置，当其他参数不变，仅将过孔沿横向布置时，天线性能没有明显改善甚至恶化，且某些情况下在预期频带不出现通带。由于篇幅有限，没有将具体数值给出。
4等效电路
按照空腔模型理论，将天线问题分为内场和外场。分析内场时，把同轴或者微带馈电等效为从天线地流向贴片的且不随流动方向变化的电流源，从而得到微带天线的等效电路为一RLC并联电路。
封装天线由于其结构的特殊性，存在天线地和系统地。贴片、天线介质、天线地可以等效为RLC并联电路，但封装天线的馈电接地端是系统地，系统地通过过孔与天线地链接，为此提出了图4所示等效电路。该等效电路主要包括贴片天线、馈电部分、连接天线地与系统地的过孔部分。由于过孔的存在，使得天线地上的电流分布发生了变化，这种变化用电感Lgnd表示，两金属地平面之间的电容效果由Cgnd表示，Lvia和Rvia分别代表过孔的电感和电阻。Lgnd与Cgnd的值是通过电路仿真软件优化得到。最终的电路参数值在表5中给出。
表5电路参数值
Rant | Cant | Lant | Lfeed |
134.9Ohm | 4.9pF | 0.19nH | 0.43nH |
Lfeed1 | Cfeed1 | Cfeed | Cgnd |
1.31nH | 0.4pF | 0.24pF | 0.25pF |
Lgnd | Lvia | Rvia | |
0.1nH | 0.87nH | 0.2Ohm |
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