未来展望——FSI 和BSI 图像传感器技术
FSI的缺点
从一开始，FSI就面临着使入射光通过硅片金属层到达光电检测器的挑战。要加大孔径，以提高光聚集度，可采用共享元件来设计像素，以尽量减少光电二极管上的电路。这种方法在提高QE的同时，也带来了不对称性，其后必须予以补偿。此外，这些孔径又产生衍射效应，而且更大的像素堆叠高度使得串扰抑制变得更为困难。虽然光导管可以减轻这些效应，但光导管本身也存在损耗。
像素从1.4微米缩小到1.1微米，有关光导管的设计挑战大幅度增加。随着像素的不断缩小，即使采用光导管，衍射效应也会妨碍光的接收。此外，FSI无法利用所有可用金属互连层来进行片上处理，在1.1微米像素下，这个缺陷可能更为突出。
BSI技术概述
采用BSI构建像素，光线无需穿过金属互连层(见图3)。然而，这仍然对光路径带来一些限制，幸运的是，促使FSI技术不断改进的许多知识和技术进步可以直接应用于BSI技术，从而为提高 BSI 性能打下了坚实的基础。
图4 30 lux照度下，800万像素、1.4微米像素尺寸的FSI传感器产生的图像
BSI技术的第一步是汇聚进入光电二极管光学区域的入射光，其光学要求与FSI相同，不过现在微透镜的位置更接近光电二极管，需要淀积更厚的微透镜材料层，以获得更短的焦距。与由互连层创建的自然孔径的FSI技术不同，BSI需要最大限度地减小串扰，因而必需通过在光电二极管上淀积金属栅格（metal grid）来增加一个孔径。
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