三星量产全球首款第二代32层三维V-NAND闪存

　　全球存储领军品牌三星电子今日宣布，已开始正式量产全球首款第二代立体垂直结构的“32层三维V-NAND闪存”。

　　三星电子此次推出的32层三维V-NAND，与之前推出的24层V-NAND相比，虽然堆叠存储单元的设计难度更高，但是因为可以直接使用生产第一代V-NAND闪存的设备，所以具有更高的生产效率。

　　除此之外，三星电子推出了基于第二代V-NAND闪存的高端固态硬盘系列产品，并提供128GB、256GB、512GB、1TB等多种容量选择。三星电子在去年面向数据中心推出基于三维V-NAND的固态硬盘之后，此次则开始进入高端电脑市场，从而进一步扩大了V-NAND产品的市场份额。

　　三星电子存储芯片事业部战略营销部门负责人全永铉副总裁表示：“通过推出覆盖数据中心和高端电脑市场的一系列V-NAND固态硬盘产品，我们进一步拓展了三维V-NAND产品的用途。而今后也将继续为全球的IT用户及时地提供稳定，高性能和高密度的V-NAND固态硬盘和芯片，以促进市场快速采用三维NAND闪存技术。”

　　与采用MLC架构的平面NAND闪存芯片相比，使用三维V-NAND芯片的新一代固态硬盘不仅使用寿命提高一倍，而且功耗也降低20%。而预计今年下半年，三星电子更将继续推出更多基于第二代三维V-NAND的高端固态硬盘，以更高的稳定性和密度满足客户的多种需求。

　　据市场调查机构Gartner近日发布的研究报告，到2017年，世界存储器市场规模预计将从755亿美元增长到797亿美元。届时，NAND闪存所占的份额将会过半，达到446亿美元。