名词解释:磁传感器
磁传感器利用的是输出电压随磁通密度变化而改变的原理。目前投产的磁传感器大体可分为两种。一种是使用霍尔元件,通过磁场与电流相互作用的霍尔效应,产生电动势。另一种是利用电阻随磁场强度变化的各种磁阻(MR:magnetoresistive)元件构成惠斯通电桥。 两种传感器元件根据磁场变化形成的输出电压特性各异。使用霍尔元件的磁传感器利用电流与磁场的相互作用,向电流施加洛仑兹力,使其成为电动势V(图(a))。而在MR传感器中,磁阻元件的阻值随磁场的存在而变化,使电桥的输出电压V发生改变(图(b))。使用霍尔元件的传感器方面,当磁通密度B的极性反转后,输出电压V也将反向。而且B的灵敏度范围大。MR传感器的输出则在B的极性反转时不发生变化,灵敏度范围较小。
除此之外,投入使用的还有利用非晶丝的“磁阻(MI)方式”和通过向线圈导入磁通检测感应电流的“磁通门(flux gate)方式”,但是在磁传感器领域的量产先例较少。
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