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基于TSC控制技术的可控硅开关分析

作者:时间:2013-10-09来源:网络收藏

2.2 的选择
关于串联的选择,GB 50227—1995《并列电容器装置设计规范》规定中第5.5.2.2条“用于抑制谐波,当并列电容器装置接入电网处的背景谐波为5次及以上时,宜取4.4%~6%”,当并列电容器装置接入电网处的背景谐波为3次及以上时,宜取12%。
综上可知的电抗率k为
wL=k/wC (2)

k=w2LC (3)

3 实验分析
从图2可以看出,二次侧额定电压为220 V。一般情况下,不仅是可控硅,包括所有的高压设备,在选型时都需留有一定的裕度,应至少取峰值的3倍。因此可得出应选的额定电压为220××3≈1 000 V。文中在此选择额定电压为1 600 V的可控硅。

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