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基于TSC控制技术的可控硅开关分析

作者:时间:2013-10-09来源:网络收藏

近年来,基于TSC(Thyristor Switched Cpacitor)的可控硅投切电容式相继推出,取得了一定的效果,但仍存在一些问题,如线路中投切时的谐波问题一直未得到解决。为了能更好地控制谐波的产生以顺利投切电容器,在线路中加入配合电容器的适当,该方法调谐速度快、调节范围宽、适应能力强、具有线性调节特性,同时无谐波污染、可靠性高且损耗和噪声小。经实验发现,增加可减小涌流和畸变,并需增加合适大小的,以保证投切的可行性。

1 TSC式可控硅开关的结构
TSC式可控硅开关的结构如图1所示,即为可控硅控制的串有小电抗的电容器。由图1可以看出,在可控硅开关控制电容器投切电路上串联了与该电容器匹配的小型电抗器,增加了稳定性。

b.JPG

所使用的小型电抗器由空心线圈绕制而成,虽然其感抗值只有同组电容器容抗值的百分之几,容量较小,对电容量的影响较弱,但作用较大。在投切电容时可减小冲击和电压及电流突变,增加稳定性。

2 TSC的安全性
从目前TSC的运行状况看,影响TSC的安全情况主要有:(1)电容器合闸时的过电压。(2)电容器的合闸涌流引起的可控硅电流变化率di/dt过大。(3)可控硅散热问题等。
2.1 可控硅的选择
电容器的合闸涌流倍数km为
b.JPG
式中,Sd为合闸点短路容量;Qc为电容器容量。
即选择可控硅时应留有一定的功率裕量,通常选择有效值3~4倍的可控硅控制电阻和电容合理的裕量。但从安全角度考虑,可控硅投切电容器时IEEE建议的裕量值为6~8倍。

电抗器相关文章:电抗器原理

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