MOSFET的谐极驱动
按图4（a）进行实验 M2驱动管用ZETEX公司的ZXMD63C02X 其N沟道源漏极通态阻抗为0.13欧，P沟道源漏极通态阻抗为0.27欧。M1 主开关管用Vishay Sliconix公司的Si7442DP，源漏极通态阻抗为2.6毫欧，门极阻抗为1.2欧。当LR=470nH时，实验波形如图4（b）所示，第一个波形D是功率MOS管的占空比驱动波形，第二个是谐振电感LR的波形，第三个是MOS管源极和栅极的电压。这些波形和图3的波形基本一样。最后一个波形是驱动的损耗，并用选择不同的电感进行比较得出的结果，选择合适的谐振电感可以有效降低驱动损耗。
5 结论
随着PWM开关频率的提高，一个很小的电感可以用在现在的谐振电路上，使得把谐振驱动电路做成集成电路成为可能。而软开关技术的发展使得主开关管得开关损耗进一步减小，在小功率的电源中开关管的驱动损耗将会成为不可忽略的损耗之一。要进一步提高电源效率，驱动损耗不能忽略，相信谐振技术将会在驱动芯片中广泛应用。
参考文献
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