利用TOP Switch设计的开关电源
TOP Switch的内部框图如图2所示，它主要包括10个部分：
控制电压源（Vc）－—控制电压Vc可以向并联调整器和门驱动级提供偏压，而控制端电流Ic则能调节占空比。电路刚上电启动时，高压电流源通过开关S提供控制端电流Ic，以便给控制电路供电，并对Cr充电。当Vc首次充电达到5.7V时，S关断，高压直流源被断开，PWM发生器和功率MOSFET开始工作。此后，Ic由反馈电路供电。
带隙基准电压源—－给内部提供各种基准电压，同时还可产生一个具有温度补偿并可调整的电流源，来精确设定振荡器的频率和门驱动电流。
振荡器（Oscillator）－—产生锯齿波（SAW）、最大占空比信号（Dmax）和时钟信（CLOCK）。振荡频率内部已设定为100kHz，这有利于减小EMI和提高电源效率。
并联调整器/误差放大器(Shunt Regulator/Error Amplifier)－－并联调整器的作用是当加到C端的反馈电流超过所需要的电流值时，就通过并联调整器就行分流，以确保Vc＝5.7V（典型值）。误差放大器将反馈电压与5.7V的基准电压进行比较，控制输出误差电流Ifb，当Ifb流过电阻Re之后，形成一个误差电压送到PWM调制器，从而调节PWM信号的占空比。
脉宽调制器(PWM Comparator)—－通过改变控制端电流IC的大小，可连续调节脉冲占空比，实现脉宽调制。同时，它正输入端的R、C组成截止频率为7kHz低通滤波器能虑掉开关噪声电压。
门极驱动级和输出级(Control Turn-on Gate Driver)－—用于驱动N沟道MOSFET，使其按照内部设定的开关频率工作。
过流保护电路——利用MOSFET的漏－源通态电阻Rds.on来检测过流信号。片子内部将Rds.on上产生的压降Vds.on与一个参考电压Vlimit作比较。当Id过大时，Vds.on也随之上升。如果Vds.on>Vlimit，过流比较器将会翻转，进而发出信号使MOSFET关断，起到过流保护作用。片子在设计时，还对Vlimit进行了温度补偿，以消除因Rds.on随温度变化而引起的Vds.on的波动。
过热保护及上电复位电路(Thermal Shutdown Power-up Reset)－—当片子的结温达到135 时，过热保护电路就输出高电平，将RS触发器的Q端置“1”，进而关断输出级。
关断/自动重启电路(Shutdown/Auto-restart)—－当调节失效时，立即使片子在5％的低占空比下工作，同时切断从外部流入控制端的电流Ic。如果故障已经排除，就自动重启动，回复到正常工作状态。自动重启的频率为1.2Hz（当Cr为47uF时）。
高压直流源——在启动或是滞后调节模式下，该电流源通过电子开关S给内部电路提供偏置电流，并且对Cr进行充电以启动电路。电源正常工作时开关S改接内部电源，高压直流源被旁路掉。
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