直流电机优化控制系统设计(三)
，取C13=2.2nF，R6=4.7k，R7=10，则fosc=144kHz，输出频率为振荡频率的一半，为72kHz。R9与C16构成补偿电路。C17为软启动电容。R11为将关断脚，直接接地使3525工作可靠稳定。由于驱动电源提供的功率并不是很大，这里为了简便，我们选用和H桥同型号的MOSFET：IRF540。其主要参数：VDS=100V，ID=28A，RDS(on)=77mΩ。
3.4.2 推挽变压器设计
在确定了隔离DC-DC的电路形式和工作频率后，还需确定输出功率才能计算推挽变压器参数。驱动电源提供的功率取决于H桥MOSFET的参数，而H桥的MOSFET又与电源电压和电机的额定功率额定电流有关。电机供电电压为18-30V，电机额定电流4.9A，而电机启动电流约为额定电流的5倍左右，约为25A。经查阅场效应管手册，选择IRF540，其主要参数已在上节介绍过。 由于对场效应管的控制实质是对输入电容的充放电控制，驱动线路的负载为容性。由于电容上电荷的保持作用，理论上讲驱动电路无需提供持续电流，但为使场效应管快速开通，需要提供足够的充电电流。场效应管的充电电流IC由下式确定
式中 CGS-栅极到源极的电容(pF);
Ciss-输入电容(pF);
Crss-反馈电容(pF);
VGS-栅极到源极电压(V);
tr’-输入脉冲上升时间(ns)。
对IRF540，Ciss=2600pF,Crss=100pF,则CGS=2500pF。
tr’由下式确定：
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