PSR原边反馈电源设计的“独特”方法

因IC内部一般内置VDS耐压600~650V的MOS，考虑到漏感尖峰，需留50~100V的应力电压余量，所以反射电压需控制在100V以内，

得：(Vout+VF)*n100,即：n100/(5+1),n16.6,

取n=16.5,得初级匝数NP=15*16.5=247.5

取NP=248，代入上式验证，(Vout+VF)*(NP/NS)100,

即(5+1)*(248/15)=99.2100,成立。

确定NP=248Ts。

拆下变压器测量电感量，此时所测得的电感量作为最大值依据，再根据厂商制造能力适当留+3%~+5%的误差范围和余量，如：测量为2mH，则取2-2*0.05=1.9mH，误差为+/-0.1mH。

现在再来验证以上参数变压器BOBBIN的绕线空间。

已知：E1和E2铜线直径为0.1mm,实际外径为0.12mm;

NP铜线直径为0.12mm,实际外径为0.14mm;

NS铜线直径为0.4mm,实际外径为0.6mm;

TAPE采用0.025mm厚的麦拉胶纸。

A.

NV若采用铜线直径为0.2mm,实际外径为0.22mm

线包单边厚度为：E1+TAPE+NP+TAPE+E2+TAPE+NS+TAPE+NV+TAPE

=0.12+0.025+0.14*4+0.025+0.12+0.025+0.6+0.025+0.22+0.025*2=1.77mm.

B.

NV若采用铜线直径为0.1mm双线并饶,实际外径为0.12mm

线包单边厚度为：E1+TAPE+NP+TAPE+E2+TAPE+NS+TAPE+NV+TAPE

=0.12+0.025+0.14*4+0.025+0.12+0.025+0.6+0.025+0.12+0.025*2=1.67mm.

测量或查EFD15的BOBBIN的单边槽深为2.0mm，所以以上2种方式绕制的变压器都可行。

2.EPC13的变压器设计

依然沿用以上设计方法，测量或查BOBBIN资料可得EPC13BOBBIN幅宽为6.8mm，

次级匝数为：6.8/0.6=11.3Ts,取11Ts.

初级匝数为：11*16.5=181.5Ts,取182Ts.

反馈匝数为：15/(5+1)*11=27.5Ts,取28Ts.

EPC13的绕线方式同EFD15，在这里就不再重复了。

以上变压器设计出的各项差数是以控制漏感为出发点的，各项参数(肖特基的VF,MOS管的电压应力余量……)都是零界或限值，实际设计中会因次级绕线同名端对应输出PIN位出现交叉，或输出飞线套铁氟龙套管，或供应商的制程能力，都会使次级线圈减少1~2圈，对应的初级和反馈也需根据匝比减少圈数；另，目前市场的竞争导致制造商把IC内置MOS管的VDS耐压减小一点来节省成本，为保留更大的电压应力余量，需再减少初级匝数;以上的修改都会对EMC辐射造成负面影响，对应的取舍还需权衡，但前提是必须使产品工作在DCM模式。

从08年市场上推出PSR原边反馈方案到现在我一直都有在用此方案设计产品，回顾看看，市场上也出现了很多不同品牌的PSR方案，但相对以前刚推出的PSR控制IC来说，有因市场反映不良而不断改进的部分，但也有因为恶性竞争而COSTDOWN的部分。主要讲讲COSTDOWN的部分。

因受一些品牌在IC封装工艺上的专利限制，所以目前大部分的内置MOS的IC(不仅是PSR控制IC，也包括PWM控制IC)采用的是在基板上置入控制晶圆和MOS晶圆，之间用金线作跳线连接，这样就有2个问题产品了：

1.金线带来的EMC辐射。