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等离子处理提高65nm逻辑器件可靠性

作者:时间:2009-05-20来源:网络收藏


沉浸和预处理时间的影响

为了进一步了解NH3等离子预处理对器件电学性质的作用,作了一些实验研究沉浸(NH3和N2)和预处理(NH3)时间对VBD性能的影响。

实验结果显示,沉浸和预处理总时间增加时,击穿电压大大提高(图6),这可能是因为Cu/界面的改善,与Cu/界面上C和O含量的减少是一致的。



关键词: SiN 65nm

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