基于单片机的模拟开关时序设计与仿真
模拟开关的电荷注入效应是影响该电路分辨率的主要因素。电荷注入效应机理主要有两方面：一是由沟道电荷造成的，如图2(a)所示，根据MOS器件的原理，当一个MOS管处于导通状态时，SiO2-Si界面的反型层存储一定电荷量，当开关断开时，电荷通过源端和漏端流出，流入测量电路；二是由栅源间和栅漏间的寄生电容存储的电荷释放流入测量电路造成的[3-4], 如图2(b)所示。由电荷注入效应引起的误差远大于被测量CX的值，引起电荷注入效应。
2 开关的电荷注入效应分析
电子开关控制时序设计图如图3所示。
首先断开S3，电路只受S3的电荷注入效应影响。当开关S3断开时，由于电荷注入效应，电荷将流向A1的输出端和反相输入端，流向A1输出端的电荷产生的影响很小，仅引起输出波形的瞬时微小失真，而流向A1反相输入端的电荷对测量结果产生影响,但A4采用差动式设计较好地解决了这部分的影响。
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