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功率半导体将迎来战略机遇期和黄金发展期

作者:时间:2014-01-21来源:上海证券报收藏
编者按:政策扶持的作用是有限的,更关键的是要扩大市场对于功率半导体器件的需求。当市场需求较大时,自然能带动功率半导体行业的快速发展。

  据中国半导体行业协会的相关人士透露,有关促进集成电路发展的纲要性文件已草拟完毕,目前正在进行部际协调。上证报资讯获悉,政策扶持的重点将主要集中于集成电路的设计和制造方面,尤其是本土自主核心产业龙头企业,将迎来重要战略机遇期和黄金发展期。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/215812.htm

  是节能减排的关键技术和基础技术,被大量应用于消费类电子、新能源汽车、光伏发电、风电、工业控制和国防装备。2013年以来我国大部分地区雾霾天气频发,在这种背景下,大规模使用来提高能源效率、促进节能减排,也成为半导体行业发展的重要方向。

  半导体功率器件的产品门类非常广,主要包括功率MOS晶体管(PowerMOSFET)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)、快恢复二极管(FRD),以及尚未得到大规模应用的采用SiC和GaN的新一代功率半导体。

  据矢野经济研究所的统计,未来7年间,全球功率半导体销售额的复合增长率三倍于整个半导体行业3%的营收增速。

  从国内的情况来看,随着全球空调、节能电机等电子产品产能向国内转移,功率半导体的需求也成倍的增加,仅IGBT产品的需求规模已经超过100亿元,并且国内已经出现格力电器等消费IGBT模块超过10亿元的企业,我国已成为全球最大的功率半导体器件消费市场。

  IGBT器件仍然严重依赖于国外公司,国产产品市场占有率不足10%。

  面对这种状况,国内半导体企业关于IGBT的项目纷纷获得政府补助,去年12月2日、23日,台基股份的IGBT产业化项目连续获得专项资金扶持,12月31日,士兰微公告其“高压IGBT芯片工艺技术开发及产业化”项目获得国家专项资金扶持。

  士兰微在国家科技重大专项(研发多芯片功率模块)的支持下,已成功地完成了高压MOSFET、600V-1200VIGBT、FRD、600V-1200V高压驱动集成电路、功率模块等新技术新产品的研发,相关的产品已陆续开始投入市场,展现了很好的市场前景。

  科陆电子作为行业的龙头企业,积极拓展智能电网、节能减排和新能源等多个领域,已经成为节能减排领域的领先企业,也是发改委重点扶持的IGBT应用的重点探索企业。公司在2011年获得科技部的专项资金用于碳化硅及硅基IGBT多芯片串联模块研发和测试平台的建立。

  华微电子自主研发的IGBT产品以及改进后的可控硅产品,也取得了一定程度的市场进展,开发出一些较大应用客户群。此外,第三代MOSFET产品和TRENCH工艺平台,在市场上得到了较高的认可度。

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