DS2433设计转变为DS24B33 4Kb 1-Wire EEPROM

作者：时间：2011-11-02来源：网络收藏

引言

DS24B33是DS2433的替代产品，采用更新的半导体技术。总的来说，DS24B33与DS2433引脚兼容，可直接代替DS2433；两个器件均具有1-Wire接口和4Kb EEPROM，EEPROM划分为16页，每页32字节。然而，新一代半导体技术使得器件在性能、特性以及工作条件等方面出现一些不可避免的变化。性能、特性变化不一定会对使用DS24B33的现有设计造成不利影响。本文详细讨论了这些变化的影响，帮助设计者评估这些变化是否对现有设计造成障碍。本文分析了参数变化，并给出了修改现有设计的建议。

性能和特性变化

读操作低电平持续时间
说明：该参数规定了主控器件在一个读时隙开始时必须将1-Wire拉低的持续时间。该持续时间必须足够长，直到1-Wire从器件以逻辑0响应总线，将总线拉低。

摘自DS2433数据资料

SYMBOL	CONDITIONS	MIN	TYP	MAX	UNITS	NOTES
tLOWR	Standard speed	1		15	µs	8
tLOWR	Overdrive speed	1		2	µs	8

注8：	主控器件发出的低电平脉冲持续时间至少为1µs ，最大值应尽可能小，使上拉电阻能够在1-Wire器件采样之前(写1时间)或在主控器件采样之前(读1时间)接管总线。

摘自DS24B33数据资料

SYMBOL	CONDITIONS	MIN	TYP	MAX	UNITS	NOTES
tRL	Standard speed	5		15-δ	µs	2, 17
tRL	Overdrive speed	1		2-δ	µs	2, 17

注2：	系统要求。
注17：	δ表示上拉电路将IO电压从VIL上拉至总线主控制器输入高电平门限所需要的时间。主控制器将总线拉低的实际最大持续时间为tRLMAX+ tF。

影响：标准速度下，为改进网络性能在1-Wire前端增加了低通滤波，这也增大了响应时间，但不影响最大指标限值。为保证数学计算正确，引入了“δ”代表上限，与实际应用的上升时间有关。注意，网络性能的改进也影响了“写1”时低电平持续时间(分别为tLOW1和tW1L)的最小值，DS24B33的最小值为5µs，DS2433为1µs。通常情况下，主控制器以“写1”时隙相同的方式产生读数据时隙。因此，更新固件满足DS24B33的tRL要求即为以正确方式更新“写1”时隙的定时。

措施：验证1-Wire主控满足DS24B33要求。如果不满足下限，主控器件可能在从器件拉低总线之前停止拉低总线，从而在1-Wire信号线上产生尖峰脉冲。在多个从器件的网络中，尖峰脉冲会导致其它从器件失去与主控器件的同步。如果是单点网络，这种潜在的尖峰脉冲不太可能影响通信。

恢复时间
说明：该参数规定1-Wire从器件恢复其寄生电源并准备好下一操作(时隙或复位/在线检测过程)时隙之间的最小空闲时间(高电平时间)。持续时间必须足以补充前一操作消耗的能量，并为下一操作积累能量。由于复位/在线检测过程大于一个时隙，寄生电源必须充满电，以便器件产生满足定时指标的应答脉冲。恢复时间会影响有效的1-Wire数据速率，数据速率为1/tSLOT。注意，DS2433数据资料的时隙定义不包括恢复时间。

摘自DS2433数据资料

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