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半导体集成电路型号命名法

作者:时间:2012-01-25来源:网络收藏
3

5.1~510×103

5.1~910×103

5.1~2×103

5.1~5.1×103

-(6~20) ×10—4

10MHz以下

RU型

硅碳膜电阻

0.125,0.25

0.5

0.2

5.1~910×103

10~2×106

10~10×106

±(7~12) ×10—4

10MHz以下

RJ 型

金属膜电阻

0.125

0.25

0.5

1.2

30~510×106

30~1×106

30~5.1×106

30~10×106

±(6~10) ×10—4

10MHz以下

RX型

线绕电阻

2.5~100

10~100×106

低频

二、电容器的主要特性指标

  • 电容器的耐压

常用固定式电容器的直流工作电压系列为(单位为伏):

6.3,10,16,25,62,40,50,63,100,160,250,400….

其中,32和50系列只限于电解电容器用。

  • 电容器容许误差等级和标称容量值

按容许误差,电容器分为常见的七个等级:

容许

误差

±2%

±5%

±10%

±20%

+20%

-30%

+50%

-20%

+100%

-10%

级别

02

IV

V

VI

固定电容器的标称容量系列如下表所示:

名称

容许误差

容量范围

标称容量系列

纸介电容器

金属化纸介电容器

纸膜复合介电容器

低频(有极性)有机薄膜介质电容器

±5%

±10%

±20%

100ρF~1μF

1,1.5,2.2

3.3,4.7,6.8

1μF~100μF

1,2,4,6,8,10,

15,20,30,50,60,

80,100

高频(无极性)有机薄膜介质电容器

瓷介质电容器

玻璃釉电容器

云母电容器

±5%

±10%

±20%

E24

E12

E6

±20%以上

E6

固定电容器的标称容量系列(续)

名称

容许误差

容量范围

标称容量系列

铝,钽,铌电解电容器

±10%

±20%

1,1.5,2.2

3.3,4.7,6.8

(容量单位为μF)

下表列出了常用电容器的几项主要特性:

名称

容量范围

直流工作

电压(V)

适用频率(MHz)

准确度

漏阻(MΩ)

纸介电容器

(中、小型)

CZ型

470ρF~

0.22μF

63~630

8以下

±(5~20)%

>5000

金属壳密封

纸介电容器

CZ3

0.01μF~

10μF

250~1600

直流

脉动直流

±(5~20)%

>1000~5000

金属化纸介电容器(中、小型)

CJ

0.01μF~

0.2μF

160,250,400

8以下

±(5~20)%

>2000

金属壳密封金属化纸介电容器

CJ3

0.22μF~

30μF

160~1600

直溜脉动直流

±(5~20)%

>30~50000

薄膜电容器

3ρF~

0.1μF

63~500

高频、低频

±(5~20)%

>10000

云母电容器

CY

10ρF~

0.05μF

100~7000

75~250以下

±(2~20)%

>10000

瓷介电容器

CC

1ρF~

0.1μF

63~630

低频高频50~3000以下

±(2~20)%

>10000

铝电解电容器

CC

1~

10000μF

4~500

直溜脉动直流

+20 +50

% ~%

-30-20

钽、铌电解电容器

CA CN

0.47μF

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