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MOSFET栅漏电流噪声分析

作者:时间:2012-10-29来源:网络收藏
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为与静电势ψ(y)相关的栅电流,IG的雅可比矩阵,Gψ(x,x1)为氧化层x1处的单位电荷在氧化层x处的电势ψ(x)的格林函数。

  氧化层中的陷阱可发射载流子至沟道或从沟道中俘获载流子。对于近二氧化硅/多晶硅界面捕获的载流子,若其再发射,进入多晶硅栅,应用朗之万方程,假定产生几率不受再发射过程的影响,则单位体积内占据陷阱数量涨落的谱密度为

  

公式

  其中,

公式

  

栅电流分量示意图

  由BSIM4提出的简易MOS模型的栅极电流分量模型

  

公式

  其中,JG是栅极电流密度,L是沟道长度,W是沟道宽度,x是沿沟道的位置(源极处x=0,漏极处x=L),IGS和IGD是栅极电流的栅/源和栅/漏分量。通过线性化栅电流密度与位置的关系,简化这些等价噪声电流分析表达式,所得的总栅极电流噪声表达式为

  

公式

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关键词: MOSFET 栅漏电流 噪声分析

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