高精度CMOS带隙基准源的设计
电路刚启动时，使Mp7和Mp8饱和，保证MN8栅极有足够高的开启电压，当MN8导通时，一个小的导通电流流过运放，启动带隙电路。电路开启后，虚框b部分电流镜像电路将输出电流进行镜像，给启动电路提供偏置，偏置电流使Mp6导通，从而MN7的栅极电压升高，MN7导通，由于MN8的电阻很大，导致MN7漏极电压很低，从而关断MN8，使启动电路(虚框c)两端电压降低而停止工作
3 仿真结果与分析
图3说明了该基准源对电压的抑制效果。根据仿真数据，在所取5～10 V的输出电压范围经计算基准电压电源抑制比为82 dB。图4为Cade-nce下的温度仿真曲线，根据所要求取的温度范围在-25～+120℃，计算得温度系数为：TCF=7.427 ppm/℃。图5为整体电路的版图设计，面积近似为0.022 mm2。
4 结语
本文通过对传统带隙基准源的基本原理分析，设计的基准电路工作电压为5～10 V，通过饱和状态MOS等效电阻对PTAT电流反馈补偿，得到了82 dB的电源电压抑制比和低于7.427 ppm/℃的温度系数，版图面积0.022 mm2。该电路产生的基准源电压基本满足普通应用要求。
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