高介电常数栅电介质/金属栅极的FA CMP技术 作者：时间：2013-05-27来源：网络收藏 ttp://www.elecfans.com/uploads/allimg/120504/1G31B403-12.jpg" width=545 height=161> 结论 良好的WID、WIW和WTW厚度控制是制造基于HKMG技术的高性能逻辑芯片的关键。ILD0化学机械研磨工艺利用FA对不同尺寸大小和密度的芯片结构均提供优异的表面形貌和平坦度控制，并且通过使用FullVision实时终点控制系统进一步确保稳定的WTW厚度控制。 上一页 1 2 下一页
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