浅谈功率半导体的技术与未来产业发展（二）

　　BCD技术的众多特殊要求适应了不同的应用需要，产业发展的现状也证明不存在“通用”的BCD技术规范，按照工艺特点，BCD技术可以分为高压BCD、大功率BCD、高集成度BCD等。高压BCD主要用于PDP等要求高耐压（100V以上）但工作电流不大的领域，大功率BCD主要用于自动控制等要求大电流、中等电压（50V左右）的领域，高集成度BCD则主要用于需要与CMOS非易失性存储电路工艺兼容的领域。根据系统应用电压的不同，也可以将基于BCD工艺的功率集成电路分为三类：100V以下，100V-300V及300V以上。100V以下的产品种类最多，应用最广泛，包括DC-DC转换、LCD显示驱动、背光LED显示驱动、PoE、CAN和LIN等。100V-300V的产品主要是PDP显示驱动和电机驱动等。300V以上的产品主要是半桥/全桥驱动、AC/DC电源转换和高压照明LED驱动等。

　　BCD工艺正向高压、高功率、高密度方向发展，2003年意法半导体引入了采用0.18/0.15？m的体硅BCD8工艺；2006年日本Renesas公司报道了0.25？m的SOIBCD工艺；2009年东芝公司推出了60V0.13？m的体硅BCD工艺，可应用于高效DC－DC的电源管理和SoC的单片集成；1200V的BCD技术也已在Fairchild完成。

　　除硅基和SOI功率集成技术在不断发展外，GaN功率集成在近两年也受到国际关注。GaN智能功率技术将实现传统硅功率芯片技术所不能达到的工作安全性、工作速度及高温承受能力。2009年香港科技大学率先报道了单片集成功率晶体管和功率整流器的GaNBoost转换器，并在此基础上开发出GaN智能功率集成技术平台雏形。由于GaN电力电子器件可基于硅衬底进行研制，因此异质集成有可能成为GaN功率半导体的研究热点

　　在国内，在“02专项”的支持下，HHNEC、华润上华、上海宏力和杭州士兰微等单位开展了40V－600V高压BCD工艺技术研发，较好地支撑了国内功率IC的发展，但与FLASH等存储工艺兼容的高密度BCD工艺平台目前尚属空白。