HID灯镇流器的空间和成本节约方案

　　图2：反向恢复特性

　　镇流器的性能测试结果

　　为了验证UniFETTM II MOSFET系列的有效性，使用包括混合频率逆变器的150W室内HID灯镇流器进行实验。 镇流器的逆变器电路与图1相同。低频臂由2个IGBT组成，其工作频率范围为60Hz~120Hz. 另一个臂的工作频率范围为30kHz~110kHz. 采用普通MOSFET和FRD的传统解决方案与UniFET II MOSFET系列之间的击穿电流对比结果如图3所示。在传统解决方案中，反向恢复电流的峰值是11.44A. 而UniFET II MOSFET系列反向恢复电流的峰值是10.48A.

　　图3：瞬态下的穿通电流对比

　　结论

　　UniFET II MOSFET系列具有更佳反向恢复特性，如快速恢复时间和低反向恢复电荷。 因此，可去除混合频率逆变器系统中防止故障所需的4个额外二极管。 实验证明UniFET II MOSFET系列可提高混合频率逆变器的系统可靠性，由于去除了额外的二极管，因此可节省电路板空间和制造成本。