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电源管理芯片中高性能放大器的研究

作者:时间:2013-11-07来源:网络收藏
基于 以 上 目的,本文设计了一种可应用于芯片的大电流、恒定增益、宽电源电压的CMOS运算,输入级采用恒定跨导互补式差分输入结构,输出级采用带有米勒补偿的前馈AB类输出结构,使输入和输出摆幅都达到了轨对轨,最后,结合UMC 0.6um双多晶双金属BCD工艺进行了运放的版图设计。HSPICE的仿真结果表明,该可以在4.5-8V的电源电压下稳定的工作,具有121dB的开环增益,18M的单位增益带宽,上升和下降的摆率分别为13.7V/us和14.2V/us,典型值为90dB的电源抑制比,以及600的相位裕度,满足了芯片对的性能参数的要求,具有比较重要的应用价值。
电源管理芯片中高性能放大器的研究

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