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针对无线基础设施设计的新型放大器

作者:时间:2013-11-12来源:网络收藏
2; LETTER-SPACING: normal; COLOR: rgb(0,0,0); WORD-SPACING: 0px; PADDING-TOP: 0px; -webkit-text-size-adjust: auto; -webkit-text-stroke-width: 0px">  另外两款最新宽带MMIC放大器既适用于传输链的驱动放大器又可作为接收链的二级低噪声放大器。MMG15241H pHEMT器件覆盖500~2800MHz频段,在2140MHz下的噪声系数为1.6dB。P1dB输出功率为+24dBm,IP3为39dBm,小信号增益为15dB。此外,MMG20271H低噪声放大器覆盖1500~2400MHz频段。在2140MHz下具有1.8dB的噪声系数,P1dB输出功率+27dBm,42dBm的IP3以及15dB的小信号增益。

  Skyworks Solutions新推出的两款GaAs MMIC低噪声放大器号称能满足多种蜂窝接收器应用(包括GSM、CDMA、WCDMA和LTE基站及中继器)苛刻的噪声和线性要求(图2)。SKY67100-396LF覆盖1.7~2.0GHz频段,SKY67101-396LF覆盖0.7~1.0GHz频段。这些增强型赝晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)低噪放大器具有0.49dB的低噪声系数和34dBm的输出三阶截取点。其内部有源偏置电路确保不同温度下具有稳定的性能。

  

《电子系统设计》

  图2:这两款GaAs增强型pHEMT低噪放大器主要针对多种蜂窝接收器应用(包括GSM、CDMA、WCDMA和LTE基站及中继器)。

  在1.95GHz下,SKY67100-396LF 的噪声系数为0.61dB。它具有优于20dB的输入回波损耗和34dBm的高输出三阶截取点。在0.9GHz下,SKY67101-396LF的噪声系数是0.49dB。其在0.9GHz的输入和输出回波损耗都在20dB以上。在0.9GHz,这款LNA具有34.1dBm的高三阶截取点。

  Avago Technologies分别覆盖1500~2300MHz以及2300~4000MHz频段的两款器件完善了该公司下一代低噪声放大器系列,该系列产品覆盖用于GSM、CDMA、UMTS、WiMAX和LTE的所有蜂窝频段。这些LNA针对基站RF前端设计而开发。在1900MHz及5V/51mA典型工作条件下,该公司的专利GaAs增强型pHEMT工艺技术提供了0.48dB的噪声系数以及35dBm的OIP3。它具有17.8dB 的增益,P1dB输出功率为21dBm,。在2500MHz及5V/56mA典型工作条件下,该技术提供0.59dB的噪声系数和35dBm的OIP3。它具有17.5dB的增益、P1dB压缩点输出功率为+22dBm。得益于内置有源偏置电路,Avago低噪声放大器的工作电流是可调的。因此,设计人员可在工作电流和输出线性度(采用OIP3测量)之间进行权衡同时保持最佳的噪声系数。

  Aeroflex/Metelics的HBT放大器产品线非常适合蜂窝、PCS、2.5/3G、MMDS、WLL及其它应用。该公司同时提供中/小功率放大器以及Darlington增益模块。HBT中/小功放专为高频、A类驱动器件设计,其输出功率为0.25至4W,增益范围为100MHz至2650MHz。例如,MMA717-3030就是针对100MHz至2.5GHz的中等功率水平而设计。通常情况下,它具有31dBm的输出功率,50dBm的高输出IP3,其典型动态范围是97dB。

  对Aeroflex/Metelics而言,InGaP HBT MMIC放大器被专门设计成宽带Darlington增益模块,它结合了不同水平的小信号增益、噪声和带宽。它们能在100MHz~12GHz范围提供平坦的增益响应。例如在2GHz下,MMA708覆盖DC~4000MHz,同时提供13dB的增益。它在-1dB时的输出功率为20dBm,典型IP3为38dBm。该放大器提供6dB的噪声系数,其输入和输出VSWR(电压驻波比)分别为1.40:1和2.00:1。

  在之前召开的IEEE国际微波研讨会(IMS)上,恩智浦半导体(NXP)展示了一系列基于硅锗碳(SiGe:C)技术的射频和中频放大器,包括从低噪声放大器到固定和可变增益放大器等一系列产品,这些器件据称可在基础设施的收/发器射频设计中实现更高集成度。该公司提供了一系列覆盖400~3500MHz的Doherty功放,包括一款三路Doherty放大器和一款基于该公司50V LDMOS工艺的单封装600W Doherty功放,它们均工作在900MHz。这款三路Doherty功放可实现52.7dBm的峰值功率(44.1dBm的平均功率),效率高达49.2%。600W(57.8dBm)的单封装电路可实现43%以上的效率,在整个工作频段具有49.2dBm的输出功率。

  RFHIC公司表示,对LDMOS来说,在整个30MHz带宽及六条信道上取得更高效率是一个挑战。此外,LDMOS晶体管封装和输入/输出匹配模图都会更大。因此,该公司选择了氮化镓(GaN)方法。用于LTE和WCDMA应用的80W功放覆盖2110~2140MHz、带宽是30MHz(图3)。借助Doherty设计和DPD技术,它能够提供35%或更高的效率。该功放在48V具有50dB增益。通过与韩国移动服务提供商SK电信的合作,这款氮化镓(GaN)放大器已经被部署在选定地点。RFHIC下一代产品的目标是达到40%的效率。

  

《电子系统设计》



关键词: 无线 基础设施 新型放大器

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