/25px 宋体, arial; WHITE-SPACE: normal; ORPHANS: 2; LETTER-SPACING: normal; COLOR: rgb(0,0,0); WORD-SPACING: 0px; PADDING-TOP: 0px; -webkit-text-size-adjust: auto; -webkit-text-stroke-width: 0px"> 合理选择生长介质膜的工艺对开关性能有很大影响，本文的RF MEMS开关需要在基底表面生长一层氮化硅膜，一般选择LP-CVD工艺，而介质膜则选择PECVD工艺为宜，金属膜的性能要求相对较低，用溅射方法即可。考虑到基底要求漏电流与损耗尽可能小，选取高阻硅与二氧化硅做基底，后者保证了绝缘要求。金质信号线与下极板通过正胶剥离形成，电子束蒸发得到铝质上极板。但从可行性考虑，部分方案的工艺实现对于国内的加工工艺尚有难度，只能牺牲微系统的性能来达到加工条件。 4 结语
本文主要从结构上进行了创新，通过计算机辅助设计仿真分析得到了理论解，一定程度上满足了设计初衷，但在工艺上还不成熟。更低的驱动电压和更高的开关频率仍是亟待解决的问题，另外如何保证实际产品的可靠性、实用性也是未来的研究重点。
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